| 发明名称 | 紫外写入制作列阵波导光栅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属一种列阵波导光栅(AWG)的紫外写入的制作方法。以单晶硅为衬底(1),用火焰水解法顺次在衬底(1)上淀积SiO<SUB>2</SUB>膜材料的下包层2、掺杂GeO<SUB>2</SUB>的SiO<SUB>2</SUB>膜材料的波导芯层(3)和SiO<SUB>2</SUB>膜材料的上包层(4),在高温炉内经1200～1400℃致密化处理,再经注氢—掩膜—辐照的过程。在80～110atm氢气压下掺入H<SUB>2</SUB>;再用刻有列阵波导光栅图形的掩膜板(5)掩盖在上包层(4)上;使用准分子激光器的紫外光(6)照射约10分钟,去掉掩膜板(5),得到AWG器件。本发明的方法工艺简化,成品率高,不再使用昂贵的刻蚀设备,降低成本;易于调节中心波长。制作的AWG器件波长响应平坦化;降低串扰。 | ||
| 申请公布号 | CN1372149A | 申请公布日期 | 2002.10.02 |
| 申请号 | CN02109177.3 | 申请日期 | 2002.02.07 |
| 申请人 | 吉林大学 | 发明人 | 张玉书;吴远大;邢华;张乐天 |
| 分类号 | G02B6/124 | 主分类号 | G02B6/124 |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 王恩远 |
| 主权项 | 1、一种紫外写入制作列阵波导光栅的方法，以单晶硅为衬底(1)，用火焰水解法顺次在衬底(1)上淀积SiO2膜材料的下包层(2)、掺杂GeO2的SiO2膜材料的波导芯层(3)和SiO2膜材料的上包层(4)，在高温炉内经1200～1500℃致密化处理，得到玻璃化SiO2膜，其特征是，采用紫外写入法直接形成列阵波导光栅图形，包括注氢—掩膜—辐照的过程，所说的注氢是在80～110atm下掺入H2；所说的掩膜是用刻有列阵波导光栅图形的薄金属材料的掩膜板(5)掩盖在上包层(4)上；所说的辐照是使用准分子激光器的紫外光(6)照射，紫外光(6)透过掩膜板(5)的透光区(7)照射在SiO2膜上；最后，除去紫外光(6)，去掉掩膜板(5)，得到列阵波导光栅。 | ||
| 地址 | 130012吉林省长春市朝阳区前卫路10号 | ||