发明名称 具有耦合层的磁性装置以及这种装置的制造与操作方法
摘要 在包括GMR(巨磁阻)结构的磁数据存储系统或磁性读出系统中,引入一组结构,以便影响GMR结构的固有磁特性或磁阻特性、如场偏移。这组结构通过高阻金属材料如Ta与GMR结构隔开。
申请公布号 CN1372688A 申请公布日期 2002.10.02
申请号 CN01801187.X 申请日期 2001.02.23
申请人 皇家菲利浦电子有限公司 发明人 K·M·H·伦森
分类号 G11C11/16;H01F10/32 主分类号 G11C11/16
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴增勇;傅康
主权项 1.一种包括一组结构的数据存储系统,它包括:第一层结构,它至少包括第一铁磁性层和第二铁磁性层以及它们之间的至少一个非磁性材料隔离层,所述第一结构至少具有磁阻效应;包括至少一个磁性层的第二结构,所述第二结构影响所述第一结构的至少一种固有磁特性;并且所述第二结构通过至少一个隔离层与所述第一结构隔开,其中所述非磁性材料是金属并且所述隔离层包括高阻金属材料,而且所述隔离层在基本上不影响所述第一结构的磁阻效应的大小的同时、还导致所述第二结构在所述第一结构上的主要是铁磁性的耦合。
地址 荷兰艾恩德霍芬