| 主权项 |
1.一种用于使用电浆处理系统执行电浆沉积的电浆沉积方法,该系统一真空槽,位在该真空槽中的第一及第二电极,该两电极互相面对,及第一及第二高频电源,其提供具有不同频率的高频电力予对应的电极;其中将一预定的沉积气体导入该电极之间的空间,且该高频电力的预定频率范围介于2MHz到9MHz之间,且将从50MHz或更高的频率范围中选择出来的高频电力分别作用到该第一及第二电极中,以产生电浆而沉积二氧化矽膜到将处理而安装在第一电极的物件上,其中该二氧化矽膜包含具有比二氧化矽膜低之低介电常数的预定材料。2.一种用于使用电浆处理系统执行电浆沉积的电浆沉积方法,该系统一真空槽,位在该真空槽中的第一及第二电极,该两电极互相面对,及第一及第二高频电源,其提供具有不同频率的高频电力予对应的电极;该方法包含步骤为:安装一将处理的物件于一第一电极上;将包含一至少有氧气的气体导入该真空槽中;作用一高频电力于该第二电极上,其频率为50MHz或更高;然后将包含至少有矽及将加入之预定材料的沉积气体导入于真空槽中,且将频率介于2MHz到9MHz之间的高频电力作用到该包括电极上,以及沉积一二氧化矽膜于作用该高频电力的物件上,该膜包含一介电常数比二氧化矽之介电常数还低的预定材料。3.如申请专利范围第1或2项之电浆沉积方法,其中将加入的预定材料包含氟。4.如申请专利范围第1或2项之电浆沉积方法,其中将加入之预定材料为碳或氢。5.如申请专利范围第4项之电浆沉积方法,其中该预定材料尚包含氮。6.如申请专利范围第1或2项之电浆沉积方法,其中该沉积气体包含矽烷气体,矽氧烷气体及氢气中至少一项。7.如申请专利范围第6项之电浆沉积方法,其中该沉积气体尚包含氮气,氧化氮气体,氧化二氮气体,四氧化二氮气体及胺气中至少一项。8.一种电浆沉积系统,包含一真空槽,以产生电浆以沉积一二氧化矽膜,在将处理之物件上其包含一预定的材料,系安装在该第一电极上;其中作用到该第一电极之高频电力的频率范围在2MHz到9MHz之间,而作用到该第二电极的高频电力的频率为50MHz或更高。图式简单说明:图1之本发明之电浆处理系统较佳实施例之整个架构的截面图;图2的特征图显示作用到底部电极2(第一电极)之高频电力的频率及从SiOF膜中去除之F的量;图3之特征图显示作用到底部电极2之高频电力频率及SiOF膜之蚀刻速率之间的关系;图4的显示图显示作用到底部电极2之高频电力之频率及底部电极2之自偏压之间的关系;图5系用于说明本发明的自偏压;图6的显示图显示作用到上方电极(第二电极)之高频电力及SiOF膜之蚀刻速率之间的关系;图7之显示图显示作用到上方电极之高频电力之频率及上方电极的自偏压之间的关系;图8的显示图显示作用到底部电极2之高频电力的频率及从SiCHO膜去除之H量之间的关系;图9的显示图显示作用到底部电极2之高频电力的频率及SiCHO膜蚀刻速率之间的关系;图10的显示图显示作用到底部电极2之高频电力的频率及从SiCHNO膜中去除之H量之间的关系;图11的显示图显示作用到底部电极2之高频电力的频率及SiCHNO膜的蚀刻速率之间的关系;图12示作用到底部电极2之高频电力的频率及从SiCHNO膜去除之H量之间的关系;以及图13的显示图显示作用到底部电极2的功率高频的频率及SiCHNO膜的蚀刻速率之间的关系。 |
