| 主权项 |
1.一种自我对准接触孔的形成方法,适用于形成有复数个闸极电极的半导体基底,包括下列步骤:在上述复数个闸极电极上方与半导体基底的表面形成氮化蚀刻停止层;在上述蚀刻停止层表面形成氧化绝缘层;利用含有C5F8与CHF3的蚀刻气体电浆蚀刻上述氧化绝缘层,以在上述各闸极电极之间形成自我对准接触孔。2.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氧化绝缘层系硼磷矽玻璃层。3.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氧化绝缘层系利用TEOS气体为反应气体所形成的二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氮仁蚀刻停止层系氮化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氮化蚀刻停止层系氮氧矽化合物层。6.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述蚀刻气体更包括加入非活性气体。7.如申请专利范围第6项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述非活性气体系氩气。8.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述蚀刻气体C5F8/CHF3的混合比例大约介于0.4~0.75之间。9.一种自我对准接触孔的形成方法,适用于形成有复数个闸极电极的半导体基底,包括下列步骤:在上述复数个闸极电极上方与半导体基底的表面形成氮化蚀刻停止层;在上述蚀刻停止层表面形成氧化绝缘层;利用含有C4F6与CHF3的蚀刻气体电浆蚀刻上述氧化绝缘层,以在上述各闸极电极之间形成自我对准接触孔。10.如申请专利范围第9项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氧化绝缘层系硼磷矽玻璃层。11.如申请专利范围第9项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氧化绝缘层系利用四乙基矽酸盐(TEOS)气体为反应气体所形成的二氧化矽层。12.如申请专利范围第9项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氮化蚀刻停止层系氮化矽层。13.如申请专利范围第9项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述氮化蚀刻停止层系氮氧矽化合物层。14.如申请专利范围第9项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述蚀刻气体更包括加入非活性气体。15.如申请专利范围第13项所述之自我对准接触孔的形成方法,其中上述非活性气体系氩气。图式简单说明:第1A~第1C与第1C'图系根据习知技术于动态随机存取记忆体制程中,形成自我对准接触孔之制程剖面图。第2A~第2C图系根据本发明实施例于动态随机存取记忆体制程中,形成自我对准接触孔之制程剖面图。 |
