| 主权项 |
1.一种用于离子植入机之离子源(10),其包含:(i)一离子腔(14),其系至少部份由腔壁(12)所限定并且具有溅镀气体可注入其内之一入口(45)以及离子束(B)可经由其抽取之一孔洞(18);(ii)一离子化电子源(44),其系用于离子化该溅镀气体以形成一溅镀电浆;以及(iii)一可溅镀排斥器(100),其系用于(a)排斥由该离子化电子源放射之电子,以及(b)提供可被该电子源离子化之溅镀材质源。2.如申请专利范围第1项之离子源(10),其中该可溅镀排斥器(100)系包含一可溅镀材质之金属块(108),且更包含用于在该离子腔(14)内装载该金属块之装载结构(102.104),该金属块系可从该装载结构可移除地分开。3.如申请专利范围第2项之离子源(10),其中该可溅镀排斥器(100)及该电子源(44)系架设在该离子腔(14)之相对端。4.如申请专利范围第2项之离子源(10),其中该装载结构(102.104)系由碳化矽(SiC)所构成。5.如申请专利范围第2项之离子源(10),其中该可溅镀材质之熔点系大于摄氏800度。6.如申请专利范围第5项之离子源(10),其中该可溅镀材质系包含任一种下列之元素,或包含任一种下列元素之化合物:铝(A1)、硼(B)、铍(Be)、碳(C)、铯(Cs)、锗(Ge)、钼(Mo)、锑(Sb)或矽(Si)。7.如申请专利范围第6项之离子源(10),其中该离子化电子源系包含一加热灯丝,其系至少由一端盖阴极(44)部份地围绕。8.如申请专利范围第2项之离子源(10),其中该排斥器(100)系与该离子腔壁(12)电性绝缘。9.如申请专利范围第8项之离子源(10),其中该排斥器(100)系相对于该离子腔壁(12)负偏压。10.如申请专利范围第9项之离子源(10),其更包含(i)一可变电源供应器(114),其系用于将该排斥器(100)相对于该离子腔壁(12)负偏压;以及(ii)一控制器(122),其系用于部份基于所接收之离子束电流回馈讯号(124)而输出一控制讯号(128)至该排斥器电源供应器(114)以变化该负偏压。11.一种用于离子植入机之离子源(10)的排斥器(100),其包含:(i)一溅镀电极金属块(108),其包含一可由离子化气体溅镀之材质;(ii)一阻块(102),其系用于支撑该金属块;以及(iii)一固定元件(104),其系用于将该溅镀电极金属块(108)可移除地附着至该阻块(102),其中,该溅镀电极金属块既(a)排斥包含在该离子化气体内之电子且(b)提供可由该离子化气体离子化之溅镀材质源。12.如申请专利范围第11项之排斥器(100),其中该固定元件(104)旋转至该阻块(102)上,以将该溅镀电极金属块(108)固定在该阻块上。13.如申请专利范围第11项之排斥器(100),其中该固定元件(104)以及该阻块(102)系由碳化矽(SiC)所构成。14.如申请专利范围第11项之排斥器(100),其中该可溅镀材质之熔点系大于摄氏800度。15.如申请专利范围第11项之排斥器(100),其中该可溅镀材质系包含任一种下列之元素,或包含任一种下列元素之化合物,铝(A1)、硼(B)、铍(Be)、碳(C)、铯(Cs)、锗(Ge)、钼(Mo)、锑(Sb)或矽(Si)。16.如申请专利范围第11项之排斥器(100),其更包含,(i)一可变电源供应器(114),其系用于提供负电性偏压至该排斥器(100);以及(ii)一控制器(122),其系用于部份基于从该离子植入机接收而来所接收之离子束电流回馈讯号(124)而输出一控制讯号(128)至该排斥器电源供应器(114)以变化该负偏压。图式简单说明:图1系习知离子源的截面图;图2系如本发明原理建构之离子源的截面图;图3系图2之离子源之排斥器部份的截面图;图4系显示供给图2之离子源之电源供应器的电路概要方块图;及图5系排斥器电源供应器控制电路的电路概要方块图。 |
