主权项 |
1.一种半导体装置之收藏盒,用于储一半导体装置于其中且该半导体装置一下方表面上形成有复数个连接端子,该半导体装置之收藏盒包括:一外壳,储存该半导体装置于其中,该外壳具有至少一对倾斜壁,藉由该半导体装置下方表面之相对边缘邻接着该成对倾斜壁之事实且以该等连接端子绝不接触到该外壳任何内壁表面之状态来支持该半导体装置插入该成对倾斜壁之间。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳尚包括分别自该成对倾斜壁一上方末端垂直向上延伸之一对垂直壁,该成对垂直壁系互相分离一距离,该距离系当该半导体装置之一末端接触到该成对垂直壁其中之一时确保该等连接端子绝不接触到该外壳之任何内壁表面。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳尚包括连结于该成对倾斜壁一下方末端之间的一第一水平壁,及连结于该成对垂直壁一上方末端之间的一第二水平壁,该第一水平壁系与该第二水平壁分离一距离,该距离系当该半导体装置接触到该第一水平壁时确保该等连接端子绝不接触到该外壳之任何内壁表面。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳包括一第二对倾斜壁,其分别设在对应于储存在该外壳中之半导体装置相对末端的位置处,且其分别朝向相对于该成对倾斜壁之各倾斜方向的方向倾斜。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置之收藏盒,其中该第二对倾斜壁系在对应于储存在该外壳中之半导体装置相对末端的各位置处连结该成对倾斜壁。6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置之收藏盒,其中该第二对倾斜壁系在对应于储存在该外壳中之半导体装置相对末端的各位置处分别藉由一对垂直壁而连结该对倾斜壁。7.如申请专利范围第4.5或6项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳包括连结该成对倾斜壁一下方末端之间的一第一水平壁及连结该第二对倾斜壁一上方末端之间的一第二水平壁。8.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述之半导体装置之收藏盒,其中每一该等倾斜壁皆具有不小于45度之一倾斜角度。9.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳系由聚苯乙烯或聚氯乙烯形成。10.如申请专利范围第7项所述之半导体装置之收藏盒,其中每一该等倾斜壁皆具有不小于45度之一倾斜角度。11.如申请专利范围第7项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳系由聚苯乙烯或聚氯乙烯形成。12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置之收藏盒,其中该外壳系由聚苯乙烯或聚氯乙烯形成。图式简单说明:第1图系依据本发明之半导体装置之收藏盒的一第一实施例概略剖面图;第2A图系第1图中显示之半导体装置之收藏盒在储存一球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第2B图系第1图中显示之半导体装置之收藏盒在储存该球格阵列型半导体装置时的透视图;第3A图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之一第二实施例在储存一球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第3B图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之该第二实施例在储存具有一不同外型之一球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第3C图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之该第二实施例以一不同之储存模态来储存该球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第4A图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之一第三实施例在储存一球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第4B图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之该第三实施例在储存具有一不同外型之一球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第4C图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之该第三实施例以一不同之储存模态来储存该球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第5图系依据本发明之半导体装置之收藏盒之一第四实施例在储存一球格阵列型半导体装置时的概略剖面图;第6A图系小单体模制型之习知半导体装置的概略剖面图;第6B图系全晶圆包封及切割型之习知半导体装置的概略剖面图;第6C图系第6A图及第6B图中所示半导体装置之下视图;第7A图系储存着小单体模制型半导体装置之习知半导体装置之收藏盒的概略剖面图;及第7B图系储存着全晶圆包封及切割型半导体装置之习知半导体装置之收藏盒的概略剖面图。 |