发明名称 升压电路及半导体记忆装置
摘要 本发明之目的在于,提供一种字线升压电路,该电路与电源电压的值无关,其升压电压位于半导体不变性记忆元件阀值电压分布的上限值和下限值范围内。本发明之解决手段为,根据电源电压Vcc的值,改变汲极侧升压电路VCa内多个串联连接升压级各自具有的电容器的并联连接数。电源电压Vcc的检测在比较器OP1~OP3检测出电阻分压后的电压值。然后,利用比较器OP1~OP3输出的组合,在解码器DCa产生工作信号S1a~S3a,以确定并联连接哪个电容器。
申请公布号 TW504888 申请公布日期 2002.10.01
申请号 TW090102009 申请日期 2001.02.01
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 小仓卓
分类号 H02M3/07;G11C16/06 主分类号 H02M3/07
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种升压电路,其包含有:该电路具有 检测电源电压値的检测部,以及 含有多个电容器并且用上述多个电容器中的至少 一个将上述电源电压加以升压的第一升压级; 上述检测部根据检测所得上述电源电压的値,判决 上述第一升压级中是单独使用上述多个电容器中 的一个,还是并联使用上述多个电容器的几个或全 部。2.如申请专利范围第1项之升压电路,其中,该 电路还具有 包含第1和第2电流电极和控制电极的电晶体,以及 包含电容器并且用上述电容器将上述电源电压加 以升压的第2升压级; 上述第1升压级给上述电晶体的上述第1电流电极 提供升压后的上述电源电压; 上述第2升压级给上述电晶体的上述控制电极提供 升压后的上述电源电压。3.如申请专利范围第2项 之升压电路,其中, 上述第1和第2升压级 接收第1信号,并且 在上述第1信号取第1逻辑値时,对上述多个电容器 的一端或上述电容器的一端提供接地电位,对上述 多个电容器的另一端或上述电容器的另一端提供 上述电源电压,从而对上述多个电容器或上述电容 器进行充电; 在上述第1信号取不同于上述第1逻辑値的第2逻辑 値时,一面使上述多个电容器的上述另一端或上述 电容器的上述另一端的电位保持浮动状态,一面使 上述多个电容器的上述一端或上述电容器的上述 一端的电位从上述接地电位上升。4.如申请专利 范围第1项之升压电路,其中,该电路还具有 包含第1和第2电流电极和控制电极的电晶体,以及 包含电容器并且用上述电容器将上述电源电压加 以升压的第2升压级; 上述第1升压级给上述电晶体的上述控制电极提供 升压后的上述电源电压; 上述第2升压级给上述电晶体的上述第1电流电极 提供升压后的上述电源电压。5.如申请专利范围 第4项之升压电路,其中,上述第1和第2升压级 接收第1信号,并且 在上述第1信号取第1逻辑値时,对上述多个电容器 的一端或上述电容器的一端提供接地电位,对上述 多个电容器的另一端或上述电容器的另一端提供 上述电源电压,从而对上述多个电容器或上述电容 器进行充电, 在上述第1信号取不同于上述第1逻辑値的第2逻辑 値时,一面使上述多个电容器的上述另一端或上述 电容器的上述另一端的电位保持浮动状态,一面使 上述多个电容器的上述一端或上述电容器的上述 一端电位从上述接地电位上升。6.如申请专利范 围第1项之升压电路,其中, 上述检测部 将用电阻划分上述电源电压所得的分压値与规定 的电压値比较,并根据该比较结果确定并联连接上 述多个电容器的数量。7.一种升压电路,其中,该电 路具有 检测电源电压値的检测部,以及 包含电容器并且用上述电容器将上述电源电压加 以升压的多个升压级; 上述多个升压级分别串联连接; 上述检测部根据检测所得上述电源电压的値,判决 使用上述多个升压级中哪个升压级的输出。8.如 申请专利范围第7项之升压电路,其中, 该电路还具有包含第1和第2电流电极和控制电极 的电晶体; 上述升压级给上述电晶体的上述第1电流电极提供 升压后的上述电源电压。9.如申请专利范围第7项 之升压电路,其中, 该电路还具有包含第1和第2电流电极和控制电极 的电晶体; 上述升压级给上述电晶体的上述控制电极提供升 压后的上述电源电压。10.如申请专利范围第7项之 升压电路,其中, 上述升压级 接收第1信号,并且 在上述第1信号取第1逻辑値时,对上述电容器的一 端提供接地电位,对上述电容器的另一端提供上述 电源电压,从而对上述电容器进行充电; 在上述第1信号取不同于第1逻辑値的第2逻辑値时, 一面使上述电容器的上述另一端的电位保持浮动 状态,一面使上述电容器的上述一端的电位从上述 接地电位上升。11.如申请专利范围第7项之升压电 路,其中, 上述检测部 将用电阻划分上述电源电压所得的分压値与规定 的电压値比较,并根据该比较结果决定用上述多个 升压级中哪个升压级的输出。12.一种升压电路,其 中,该电路具有 检测电源电压値的检测部、 包含第1和第2电流电极和控制电极的电晶体,以及 包含电容器并且用上述电容器将上述电源电压加 以升压的第1和第2升压级; 上述第1升压级给上述电晶体的上述第1电流电极 提供升压后的上述电源电压; 上述第2升压级给上述电晶体的上述控制电极提供 升压后的上述电源电压; 上述检测部根据检测所得上述电源电压的値,使上 述第1或第2升压级中的升压量变化。13.如申请专 利范围第12项之升压电路,其中, 上述第1和第2升压级 分别接收第1和第2信号,并且 在上述第1和第2信号分别取第1逻辑値时,对上述电 容器的一端提供接地电位,对上述电容器的另一端 提供上述电源电压,从而对上述电容器充电, 在上述第1和第2信号分别取不同于第1逻辑値的第2 逻辑値时,一面使上述电容器的上述另一端的电位 保持浮动状态,一面使上述电容器的上述一端的电 位从上述接地电位上升。14.如申请专利范围第12 项之升压电路,其中, 上述检测部 将用电阻划分上述电源电压所得的分压値与规定 的电压値比较,并根据该比较结果确定上述第1或 第2升压级中的上述升压量。15.一种半导体记忆装 置,其中, 该装置具有 半导体不变性记忆元件、 连接上述半导体不变性记忆元件的字线,以及 通过上述字线读取上述半导体不变性元件的记忆 内容用的字线升压电路; 上述字线升压电路由申请专利范围第1至14项中任 一项之升压电路构成。图式简单说明: 图1为实施形态1的字线升压电路的示意图。 图2为实施形态1的字线升压电路一部分的说明图 。 图3为实施形态1的字线升压电路一部分的说明图 。 图4为实施形态1的字线升压电路一部分的说明图 。 图5为示出实施形态1的字线升压电路运作的时间 图。 图6为实施形态1的字线升压电路的升压电压与电 源电压关系说明图。 图7为实施形态1的字线升压电路一部分的说明图 。 图8为实施形态1的字线升压电路一部分的说明图 。 图9为显示实施形态1的字线升压电路运作的时间 图。 图10为显示实施形态1的字线升压电路运作的时间 图。 图11为实施形态2的字线升压电路的示意图。 图12为实施形态2的字线升压电路一部分的说明图 。 图13为实施形态2的字线升压电路的升压电压与电 源电压关系说明图。 图14为实施形态2的字线升压电路一部分的说明图 。 图15为实施形态2的字线升压电路一部分的说明图 。 图16为显示实施形态2的字线升压电路运作的时间 图。 图17为显示实施形态2的字线升压电路运作的时间 图。 图18为实施形态3的字线升压电路的示意图。 图19为实施形态3的字线升压电路一部分的说明图 。 图20为显示实施形态3的字线升压电路运作的时间 图。 图21为实施形态3的字线升压电路的升压电压与电 源电压关系说明图。 图22为实施形态4的字线升压电路的示意图。 图23为实施形态4的字线升压电路一部分的说明图 。 图24为显示实施形态4的字线升压电路的升压电压 与电源电压关系说明图。 图25为实施形态4的字线升压电路一部分的说明图 。 图26为实施形态4的字线升压电路一部分的说明图 。 图27为显示实施形态4的字线升压电路运作的时间 图。 图28为显示实施形态4的字线升压电路运作的时间 图。 图29为具有半导体不变性记忆元件的半导体记忆 装置的示意图。 图30为快闪记忆元件阀値电压与分布的关系的示 意图。 图31为习知技术字线升压电路的示意图。 图32为习知技术字线升压电路一部分的说明图。 图33为习知技术字线升压电路一部分的说明图。 图34为习知技术字线升压电路一部分的说明图。 图35为显示习知技术字线升压电路运作的时间图 。 图36为习知技术字线升压电路的升压期间等效电 路的示意图。 图37为习知技术字线升压电路的升压电压与电源 电压关系说明图。
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