| 主权项 |
1.一种探测方法,其系以探测卡测试在一晶圆之复 数个半导体晶片,其步骤包含有: 以一测试设备之承座固定支撑该晶圆,该承座系可 相对应于探测卡移动; 连续性移动该承座,在每一次移动后系使探测卡接 触该晶圆之部份晶片,其中该探测卡具有复数组探 测端点而构成一探测区域,每一组探测端点之分布 系与一晶片之电极部呈镜像排列,当该探测卡接触 晶圆时,被复数组探测端点所测触之晶片数量系小 于在探测区域内之晶片数量;及 在每一次移动定位后,电性检测被复数组探测端点 所测触之晶片。2.如申请专利范围第1项中所述之 探测方法,其中该探测卡之复数组探测端点系呈间 隔行或列之排列。3.如申请专利范围第1项中所述 之探测方法,其中该探测卡之复数组探测端点系呈 交错排列。4.如申请专利范围第1项中所述之探测 方法,其中该探测卡之探测端点系为垂直探针。5. 如申请专利范围第1项中所述之探测方法,其中该 探测卡之探测端点系为悬臂式探针。6.如申请专 利范围第1项中所述之探测方法,其中该探测卡包 含有多层陶瓷电路板,以结合探测端点。7.如申请 专利范围第6项中所述之探测方法,其中由复数组 探测端点所构成之探测区域系小于该探测卡之多 层陶瓷电路板用以结合探测端点之表面。图式简 单说明: 第1图:在美国专利案第6,262,586号「最佳探测模式 之探测方法」,一探测卡之相对关系方块图; 第2图:在美国专利案第6,262,586号「最佳探测模式 之探测方法」,检测区域之状态示意图; 第3图:依本发明之一具体实施例,晶圆测试设备之 截面图; 第4图:依本发明之一具体实施例,探测卡之探测区 域示意图; 第5图:依本发明之一具体实施例,以该探测卡探测 一晶圆之示意图;及 第6图:依本发明之另一具体实施例,另一探测卡之 探测区域示意图。 |
