| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW PERMITTIVITY INTERLAYER INSULATING FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
<p>반도체장치는 반도체기판상에 제 1 절연막을 구비한다. 상기 제 1 층간절연막상에 부분적으로 배선패턴들이 형성된다. 상기 제 1 절연막과 상기 배선패턴들을 덮도록 제 2 절연막이 형성된다. 상기 제 2 절연막상에 제 3 절연막이 형성된다. 이 경우에, 적어도 상기 제 1 절연막의 상부표면부분이 제 2 절연막보다 낮은 수분함유율을 갖는다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100354649(B1) |
申请公布日期 |
2002.09.30 |
| 申请号 |
KR19990000629 |
申请日期 |
1999.01.12 |
| 申请人 |
닛본 덴기 가부시끼가이샤 |
发明人 |
우사미다쓰야;오다노리아키 |
| 分类号 |
H01L23/522;H01L21/31;H01L21/312;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/522 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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