| 摘要 |
<p>인이나 보론 따위의 불순물을 반도체 기판 상에 도핑하거나, PSG(Phospho- SilicateGlass) 막, BSG(BoroSilicateGlass) 막, 또는 BPSG(BoroPhosphoSilicate- Glass) 막이나 탄소 막 등응 형성하는 불순물 처리 장치에 관한 발명이다. 이 구조는, 처리실(11)이, 불순물 함유 가스 공급 부(102B)에 접속돼 있는 불순물 함유 가스의 도입구, 불순물 함유 가스를 이용하여 이온 주입 또는 도핑하거나 막을 형성하는 처리할 층을 지지하는 기판 홀더(12b), 불순물 함유 가스의 흐름방향에 따라 기판 홀더(12b)의 상류에 마련돼 흡수 가스 공급 부(102C)에 접속된 흡수 가스의 도입구 및, 흡수 가스의 도입구로부터 기판 홀더까지의 공간에 마련돼 흡수 가스를 플라즈마화하는 제 1의 플라즈마 발생 수단(12a, 12b, 6)으로 이루져 있음을 특징으로 한다.</p> |
