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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>표면적의 증가를 촉진하고, 인접한 원통형 부재들(34)간의 단락을 방지하기 위한, 원통형 부재(34)의 내부 및 외부 벽면의 반구상의 입자(44, 46) 크기가 균일한 반도체 소자를 제조하는 방법이 개시된다. 이러한 것은 비정질 실리콘 초기 성장된 층(36)을 제거하거나 초기 성장된 층(36)의 기능을 억제함으로써 얻어진다.</p>
申请公布号 KR100354275(B1) 申请公布日期 2002.09.28
申请号 KR19990005650 申请日期 1999.02.19
申请人 닛본 덴기 가부시끼가이샤 发明人 야마니시노부유끼;히로따도시유끼
分类号 H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/108 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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