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Ein integrierter Speicher umfaßt Speicherzellen (MC) in einem Speicherzellenblock (22), der eine Mehrzahl von Spaltenleitungen (BL) und eine Mehrzahl von Zeilenleitungen (WL) aufweist, wobei die Mehrzahl von Zeilenleitungen reguläre Zeilenleitungen (WL) und redundante Zeilenleitungen (RWL) aufweist. Eine Selbsttesteinheit (50) überprüft bei einem Lesezugriff auf eine aktuelle Zeilenleitung (28) die Korrektheit der gelesenen Speicherzelleninhalte (32), generiert bei einem Fehler ein Fehlersignal für die aktuelle Zeilenleitung (28), erfaßt die für jede reguläre Zeilenleitung (WL) festgestellten Fehler, vergleicht sie mit einem mittleren Fehler für alle regulären Zeilenleitungen (WL) und gibt bei Erfüllen einer vorbestimmten Reparaturbedingung bei dem Vergleich ein Zeilenreparatursignal für die aktuelle Zeilenleitung (28) aus. Eine mit der Selbsttesteinheit (50) zusammenwirkende Selbstreparatureinheit (60) ersetzt auf ein Zeilenreparatursignal hin die aktuelle Zeilenleitung (28) im laufenden Betrieb des integrierten Speichers durch eine redundante Zeilenleitung (RWL). Durch Nutzen der vorhandenen Redundanz noch nach der Auslieferung kann die Ausfallwahrscheinlichkeit des Speicherbausteins deutlich gesenkt werden.
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