| 摘要 |
<p>본 발명은 강유전체 캐패시터 상부에 보호막으로서 형성되는 실리콘산화막과 실리콘질화막 사이의 스트레스를 감소시키고 실리콘질화막 형성 과정에서 발생하는 수소에 의한 강유전체 특성 저하를 방지할 수 있는 반도체 소자의 보호막 형성 방법에 관한 것으로, 보호막층으로 이용되는 실리콘산화막과 실리콘질화막 사이에 다결정실리콘막을 형성하는데 특징이 있다. 다결정실리콘막은 실리콘 결정입자간의 계면들이 열적 응력에 대한 완충작용을 하는 효과를 가지며, 실리콘질화막 형성시 발생하는 수소이온과 결합하려는 특성이 강하여 수소이온이 소자 내부로 침투하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.</p> |
