发明名称 Halbleiterbauelement mit isolierter Basis
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: DOLLAR A - eine erste Anschlusszone (12) eines ersten Leitungstyps (n) und sich eine an die erste Anschlusszone (12) anschließende Driftzone (14) des ersten Leitungstyps (n), DOLLAR A - eine zweite Anschlusszone (30) des ersten Leitungstyps (n), DOLLAR A - eine dritte Anschlusszone (40) des ersten Leitungstyps (n), DOLLAR A - eine Sperrzone (20), die zwischen der Driftzone (14) und der zweiten Anschlusszone (30) und der Driftzone (14) und der dritten Anschlusszone (40) ausgebildet ist, DOLLAR A - ein die zweite Anschlusszone (30) und die Sperrzone (20) kurzschließender Kontakt (32), DOLLAR A - eine Steuerelektrode (80), die isoliert gegenüber der Driftzone (14), der Sperrzone (20) und der zweiten Anschlusszone (30) ausgebildet ist, DOLLAR A - ein elektrischer Widerstand (50), der zwischen dem Kontakt (32) und der dritten Anschlusszone (40) ausgebildet ist.
申请公布号 DE10111152(A1) 申请公布日期 2002.09.26
申请号 DE20011011152 申请日期 2001.03.08
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 MEYER, THORSTEN
分类号 H01L29/73;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
地址