发明名称 高气密石墨之制作方法
摘要 本发明为高气密石墨之制作方法,其制程包括:(1)在真空下将已混合硬化剂之喃甲醇渗入高密度石墨孔隙内;(2)取出高密度石墨并让该材料仍覆盖有渗入物下,进行低温聚合反应处理;(3)取出已聚合反应处理石墨,将表面清除乾净后放入热处理装置且慢速升温硬化。如有需要更致密化可再进行第二次同以上制程之处理。高密度石墨经致密化处理后可明显提升材料之密度及抗压强度,并且大幅度降低氮气漏气率达107倍以上,同时可微微提高石墨导电度。本发明特点为以成木低、制程简单且能有效将树脂渗入具微孔之高密度石墨孔隙内。依照本发明的方法,可制造出漏气率低及高抗压强度之石墨,更利于今日燃料电池用石墨平板、单极气密板及双极分隔板等组件。
申请公布号 TW503215 申请公布日期 2002.09.21
申请号 TW089104454 申请日期 2000.03.13
申请人 国防部中山科学研究院 发明人 翁炳志;赵树汉;黄铭钦;陈崇一;黄金堂
分类号 C01B31/04 主分类号 C01B31/04
代理机构 代理人
主权项 1.一种高气密石墨之制作方法,将高密度石墨经含浸封孔后而得到几乎完全气密石墨,其步骤包括:(1)材料前段处理:将高密度石墨材料加热至特定温度,以除去材料之水分,该材料经此前段处理后继以;(2)含浸处理:将此已经前段处理之石墨材料放入含浸容器内,然后将已混合磷酸硬化剂之喃甲醇单体混合物加入含浸容器内;(3)聚合反应:取出石墨材料并让石墨材料仍浸泡有单体混合硬化剂混合物下,进行30-100℃低温聚合处理;(4)硬化处理:将石墨材料取出,清除表面多余树脂,接着进行由室温缓慢升温至200℃以上之硬化处理,即完成制程。2.如申请专利范围第1项之高气密石墨之制作方法,其中磷酸硬化剂需先加水稀释至浓度10%左右才可加入喃甲醇内。3.如申请专利范围第1项之高气密石墨之制作方法,其中高密度石墨之密度于1.7g/cm3。4.如申请专利范围第1项之高气密石墨之制作方法,其中如有需要更致密化时可再进行第二次含浸封孔处理,步骤同第1项(2)、(3)及(4)制程之处理。5.如申请专利范围第1项之高气密石墨之制作方法,其中石墨材料放入含浸容器内,可先将含浸容器抽真空后,再将已混合硬化剂之单体混合物加入含浸容器内。6.如申请专利范围第1项之高气密石墨之制作方法,其中在含浸处理步骤之石墨材料加入单体混合物后,可作加压处理。
地址 桃园县龙潭乡佳安村中正路佳安段四八一号