| 主权项 |
1.一种用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,包含:一基体,包含于其上形成之磊晶生长复合半导体层堆叠,该堆叠包括一第一磊晶生长复合半导体层;一异质接面场效电晶体于该堆叠至少一部份上形成,该第一部份包括该第一磊晶生长复合半导体层,该异质接面场效电晶体具有一含源极及汲极欧姆接触之通道,及一和该通道工作性相关之闸极接触,该闸极接触包含多层金属,该异质接面场效电晶体具有一第一导通电压;以及一肖特基二极体在该堆叠至少一第二部份上形成,该第二部份包括该第一磊晶生长复合半导体层,该肖特基二极体以二终端和该异质接面场效电晶体相邻,该肖特基二极体包含该等金属层之一和该堆叠中具低带隙之一层接触,该肖特基二极体具负温度系数及小于第一导通电压之第二导通电压。2.如申请专利范围第1项之用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,其中具低带隙之堆叠层带隙约在-1.6 eV以下。3.如申请专利范围第2项之用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,其中具低带隙之堆叠层包含锗化砷或铟锗化砷之一。4.如申请专利范围第1项之用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,其中之异质接面场效电晶体具一均2.5伏之单电力供应和其连接及接通电压约1.7伏。5.如申请专利范围第1项之用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,其中之异质接面场效电晶体包含负温度系数,及该肖特基二极体由一闸电路和该异质接面场效电晶体闸接触相连,以补偿温度变化造成之闸电路电流负载变化。6.如申请专利范围第1项之用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,其中该等金属层包含一接触金属层、一籽金属层、及一低电阻金属层。7.如申请专利范围第6项之用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置,其中之低电阻金属覆盖为金,及该低电阻金属覆盖之第二部份在籽金属层第二覆盖上。8.一种制造用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置之方法,包含以下步骤:提供一基体,该基体包含于其上形成之磊晶生长复合半导体层堆叠;于该堆叠形成一异质接面场效电晶体,形成之异质接面场效电晶体具有一具源极及汲极欧姆接触之通道及一闸极接触作用性地和该通道相关,形成之闸极接触包含多层金属;以及于该堆叠上形成一肖特基二极体以二终端和该异质接面场效电晶体相邻,该肖特基二极体包含该等金属层之一和该堆叠中具低带隙之一层接触,该肖特基二极体具负温度系数。9.如申请专利范围第8项之制造用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置之方法,其中形成肖特基二极体之步骤由同时沉淀该等金属层之一于该肖特基二极体及异质接面场效电晶体之闸极接触而执行。10.如申请专利范围第8项之制造用以于单供电异质接面场效电晶体提供低电压温度补偿之装置之方法,其中之异质接面场效电晶体包含负温度系数及该方法包含利用一闸电路连接肖特基二极体和异质接面场效电晶体闸极接触,以补偿温度变化造成之闸电路电流负载变化之额外步骤。图式简单说明:图1是标准二极体连接HFET简化概图;图2是依照本发明在相同处理中制造HFET及相邻肖特基二极体简化剖面图;图3是图2之HFET及肖特基二极体一连接之简化概/方块图;以及图4是可做为图3之主动偏压电路之电路简化概图。 |
