| 主权项 |
1.一种镶嵌式内连线结构之制造方法,至少包含下列步骤:提供一半导体基底;形成一介电层于上述基底;蚀刻上述介电层,以形成一沟槽;形成一阻障层于上述介电层及上述沟槽之侧壁及底部;形成一金属层于上述阻障层,并填满上述沟槽;执行化学机械研磨制程,以进行上述金属层表面之平坦化处理;形成一附着层于上述金属层之表面;及形成一密封层于上述附着层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括下列步骤:于执行化学机械研磨制程后,执行同步还原制程,藉由通入还原气体,以除去上述金属层表面之金属氧化物。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述附着层之材质为选自(SiON)、(SiONH)、矽氮氢化合物(SiNH)、矽碳氮化合物(SiCN)、矽碳氢化合物(SiCH)之一者。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述附着层厚度之范围为200 ~ 500埃之间。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述密封层之材质为选自氮化矽(SiN)及碳化矽(SiC)之一者。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述密封层厚度之范围为200 ~ 850埃之间。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述金属层之材料为铜。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述还原气体为矽烷(SiH4)。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述还原气体为选自氨气(NH3)、氢气(H2)、矽烷(SiH4)之至少一者。10.一种镶嵌式内连线结构之制造方法,至少包含下列步骤:提供一半导体基底,具有一内连线;形成一第一附着层于上述内连线及半导体基底;形成一第一密封层于上述第一附着层;形成一介电层于上述第一密封层;以镶嵌制程界定上述介电层,形成贯穿上述介电层,第一附着层及第一密封层并连接上述内连线之镶嵌结构;形成一阻障层于上述介电层及上述镶嵌结构之侧壁及底部;形成一金属层于上述阻障层,并填满上述镶嵌结构;执行化学机械研磨制程,以进行上述镶嵌结构表面之平坦化处理;执行同步还原制程,通入一还原气体,以除去上述金属层表面之金属氧化物;形成一第二附着层于上述金属层及介电层;及形成一第二密封层于上述第二附着层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述第一及第二附着层之材质为选自(SiON)、(SiONH)、矽氮氢化合物(SiNH)、矽碳氮化合物(SiCN)、矽碳氢化合物(SiCH)之一者。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述第一及第二附着层厚度之范围为200~500埃之间。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述第一及第二密封层之材质为选自氮化矽(SiN)及碳化矽(SiC)之一者。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述第一及第二密封层厚度之范围为200~850埃之间。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述金属层之材料为铜。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述还原气体为矽烷(SiH4)。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述还原气体为选自氨气(NH3)、氢气(H2)、矽烷(SiH4)之至少一者。图式简单说明:第1A~1D图系显示传统技术之镶嵌导线剖面制程。第2A~2J图系显示根据本发明实施例所述之镶嵌导线剖面制程。 |
