| 主权项 |
1.一种制造高纯度钽的方法,包括下列步骤:以熔解制程纯化K2TaF7;将经过纯化的K2TaF7与一还原剂反应,以制造钽粉未;以及使该钽粉于一容器中与碘进行反应。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在该K2TaF7中的钨和钼减少至小于重量的1ppm,且铌与其他金属杂质减少至小于重量的20ppm。3.一种制造高纯度钽的方法,包括:在一容器中使一进料与碘气体进行反应,该进料中包括钽与一杂质,且该杂质包括钨与钼二者中至少一者;形成一反应产物,其中包括钽的碘化物;以及在一丝极上分解钽的碘化物,以产生高纯度的钽,其中所含之钨与钼二者中至少有一者的含量低于该进料。4.如申请专利范围第1或3项之方法,其中该容器具有包括在氯电动序列中,电化学性质比钽更不活泼之金属的一反应剂接触表面。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该反应剂接触表面包括钼、钨以及钼与钨之合金三者其中之一。6.如申请专利范围第1或3项之方法,其中该高纯度钽之中包括各自在重量上小于5ppm之钨与钼。7.如申请专利范围第1或3项之方法,更包括以电子束熔化该钽,以形成一高纯度钽铸块。8.一种具有高纯度钽的溅镀钯心,该溅镀钯心的总金属杂质重量为500ppm,且钨或钼重量为50ppm。9.如申请专利范围第8项所述之溅镀钯心,其中钨或钼的重量小于20ppm。10.如申请专利范围第8项所述之溅镀钯心,其中钨与钼的重量小于5ppm。11.如申请专利范围第8项所述之溅镀钯心,其中铌、钼与钨总重量小于20ppm。12.如申请专利范围第8项所述之溅镀钯心,其中铌、钼与钨的总重量小于5ppm。13.一种溅镀靶,其系由申请专利范围第8项所述之溅镀钯心所构成。14.一种制造高纯度钽的方法,包括下列步骤:使一材料与碘气体发生反应,该材料中包括钽与至少一杂质;形成一反应产物,其中包括钽的碘化物与上述至少一杂质的碘化物;利用分馏法,由该反应产物中至少分离出该钽的碘化物的一部分;以及在一丝极上分解该钽的碘化物。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中所谓的至少一杂质系包括铌。图式简单说明:第1图为用于K2TaF7进行钠还原反应之液体液体反应蒸馏器的示意图;第2图为碘化反应槽的示意图;第3图为具有蒸馏装置之碘化反应槽的示意图;第4A图与第4B图为钽靶的示意图;以及第5图为钽棒之导电度相对于作用时间的曲线图。 |
