晶片直接接连封装

摘要

本发明揭示一种晶片直接接连封装，依照本发明，一导线架130以黏合剂140接合于半导体晶片110的底面，导线架130的内部导件131以金属导线120连接于半导体晶片的焊接点111，内部导件131的厚度相等于导线架130的原来厚度，导线架130的外部导件132系藉部份蚀刻导线架130的底面来形成。总成物复以模造化合物100囊装成外部导件132由此曝露，尤其在内部导件部份131之模造化合物100形成向下突起部101，此突起部在导线接合过程期间提高控制接合高度之效益而使金属导线120不致自模造化合物100曝露，此外，在无焊接球存在的外部导件134两侧系自模造化合物100曝露，在外部导件132两侧自模造化合物100曝露部份扮演向外散逸热量的角色，热自半导体晶片110传导至导线架130，一焊接球150安装于曝露于模造化合物100外的外部导件132的内部。选择图：第2图。

主权项

1.一种晶片直接接连封装,包括:一半导体晶片,配置成其焊接点为向下者;一导线架,附装于该半导体晶片之底面且包括有内部与外部导件;一金属导线,电气连接于该导线架的该内部导件与该半导体晶片的焊接点,其特征在于:一用以囊装整个总成物成该外部导件之模造化合物乃曝露于外,而其中一突起部乃形成于该内部导件下方,以用来防止该金属导线曝露;而一焊接球安装于自该模造化合物曝露之该外部导件上,其中该导线架之外部导件系以部份蚀刻该导线架之底面来形成,而该内部导件厚度变成等于该导线架之原来厚度。2.如申请专利范围第1项之晶片直接接连封装,其中所述模造化合物之突起部亦形成于该焊接球之两侧。3.如申请专利范围第1项之晶片直接接连封装,其中所述半导体晶片之表面系自模造化合物曝露且有一热窝附装于该半导体晶片之曝露表面。4.如申请专利范围第1项之晶片直接接连封装,其中包含一具有对应于该焊接球形状之凹部形成于该外部导件之表面上。5.如申请专利范围第4项之晶片直接接连封装,其中所述凹部表面上沈积一金属层。6.如申请专利范围第1项之晶片直接接连封装,其中所述外部导件表面上镀布一金属圈。7.如申请专利范围第1项之晶片直接接连封装,其中所述外部导件表面上镀布一金属层。8.如申请专利范围第5项或第6项或第7项之晶片直接接连封装,其中所述金属层或金属圈为一种合金而由含有Cu,Au,Ag,Ni,Pd,Pb,Sn,Co,Ti及Cr之群中选择之一种或两种材料所制成者。9.如申请专利范围第1项之晶片直接接连封装,其中所述导线架之两侧之未蚀刻部份系自模造化合物曝露藉以向外散逸自该半导体晶片传导至该导线架之热。图式简单说明:第1图为传统晶片封装的剖面图;第2A及2B图为本发明第1实施例晶片封装的正面剖面图与部份透视图;第3图为本发明导线架与主要零件配置之平面图;第4A至4C图为本发明三种经修正的焊接球与外部引线连接结构之说明图;第5图为本发明第2实施例晶片封装的正面剖面图;第6图为本发明第3实施例晶片封装的正面剖面图;及第7图为本发明第4实施例晶片封装的正面剖面图。