| 主权项 |
1.一种用于补偿一半导体元件接面电压之温度响应中曲率的电路,包含:a)一第一电流源,其电流乃是将流经元件并与绝对温度(PTAT)成比例的电流减去一与绝对温度(CTAT)呈互补的电流,b)一第二电流源,其电流乃PTAT加上一常数乘以CTAT,c)一第一电流路径,其乃介于两电位位准(VccGnd)之间并包含与第一和第二半导体接面呈串接的第一电源,d)一第二电流路径,其乃介于两电位位准之间并包含与第一个三端电晶体呈串接的第二电流源,该第一个三端电晶体包含一控制端,e)将横跨第一和第二半导体接面元件的电压耦接至第一电晶体之控制端之装置,f)一第二个三端电晶体,其乃包含一控制端,以及g)将来自第一电晶体的电压耦接至第二电晶体的控制端以控制流经第二电晶体的电流之装置。2.如申请专利范围第1项之电路,其中该第一和第二半导体接面包含二极体。3.如申请专利范围第1项之电路,其中该第一和第二半导体接面包含二极体连接而成的电晶体。4.如申请专利范围第3项之电路,其中该第二极体连接而成的电晶体包含此等基极与集极呈连接之双载子电晶体。5.如申请专利范围第4项之电路,其中该等第一和第二个三端电晶体包含双载子电晶体。6.如申请专利范围第5项之电路,其中所有的双载子电晶体皆为NPN型。7.如申请专利范围第3项之电路,其中该等二极体连接而成的电晶体包含此等闸极与源极呈连接之金氧半电晶体。8.如申请专利范围第7项之电路,其中该等第一和第二个三端电晶体包含此等金氧半电晶体。9.如申请专利范围第8项之电路,其中所有的金氧半电晶体皆为N通道型。10.如申请专利范围第1项之电路,其乃包含一第三电流源,该第三电流源的电流乃与绝对温度(CTAT)呈互补的电流减去与绝对温度(PTAT)成比例的电流,且进一步包含一第二电路,该第二电路包含元件a)至f),其中该第三电流源的电流乃取代元件a)中的第一电流源并共享元件g)。11.如申请专利范围第10项之电路,其中该等第一和第二半导体接面包含二极体。12.如申请专利范围第10项之电路,其中该等第二和第二半导体接面包含此等二极体连接而成之电晶体。13.如申请专利范围第12项之电路,其中该等二极体连接而成之电晶体包含此等基极与集极呈连接之双载子电晶体。14.如申请专利范围第13项之电路,其中该等第一和第二个三端电晶体包含此等双载子电晶体。15.如申请专利范围第13项之电路,其中所有的双载子电晶体皆为NPN型。16.如申请专利范围第12项之电路,其中该等呈二极体连接之电晶体包含此等闸极与源极呈连接之金氧半电晶体。17.如申请专利范围第16项之电路,其中该等第一和第二个三端电晶体包含此等金氧半电晶体。18.如申请专利范围第17项之电路,其中所有的金氧半电晶体皆为N通道型。图式简单说明:图1描述根据本发明对一随温度而变之接面电压之两象限之曲率补偿。图2乃一根据本发明一具体实施例用于一象限补偿之电路图。图3乃图2中之两象限电路图,结合此二象限电路以提供图1之温度补偿函数。图4乃图3之电路图,但此电路图乃用金氧半电晶体予以实现。 |
