| 主权项 |
1.一种镓氮化物基发光元件,包括在一个n型镓氮化物基材之主要表面上形成n型电极,其中该n型电极对该主要表面之面积的面积比率是设定在至少5%及最多60%的范围之间,并且该n型电极包括用来导入电流之n型欧姆电极层。2.根据申请专利范围第1项之镓氮化物基发光元件,其中该n型电极进一步包括补充电极层,其与该欧姆电极层电接触。3.根据申请专利范围第2项之镓氮化物基发光元件,其中该欧姆电极层与该补充电极层具有彼此不同的二维形状。4.根据申请专利范围第1项之镓氮化物基发光元件,其中该欧姆电极层系选自Ti、Sc、La、Y、Hf及Zr的任何一种。5.根据申请专利范围第2项之镓氮化物基发光元件,其中该补充电极包含Pt、Al、Ag、Au及W的任何一种。6.根据申请专利范围第1项之镓氮化物基发光元件,其中该基材的厚度为至少40微米。7.根据申请专利范围第1项之镓氮化物基发光元件,其中该n型电极的厚度是在至少0.3微米及最多2微米之间。图式简单说明:图1A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例1中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图1B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图2A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例2中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图2B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图3A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例3中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图3B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图4A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例4中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图4B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图5A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例5中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图5B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图6A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例6中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图6B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图7A为一个平面图,代表根据本发明之具体实施例7中,一个发光元件里n型镓氮化物基材背面上的n型电极型态,并且图7B为一个剖面图,代表该发光元件之堆叠层结构。图8为一个图示,代表在导电1000小时之后,对开始导电起始光学输出的光学输出比率,及有前进电流20毫安培之终端间的电压,相对应于n型电极之电极覆盖比率。图9为一个图示,代表在导电1000小时之后,对开始导电之起始光学输出的光学输出比率,相对应于CaN基材之厚度。图10为一个图示,代表在导电1000小时之后,对开始导电之起始光学输出的光学输出比率,相对应于n型电极的厚度。 |
