| 主权项 |
1.一种基材搬移的设备,其至少包含: 一第一可密封的细缝; 一第二可密封的细缝,其被建构成可耦合至一真空 处理室; 一基材搬移器,其被建构成可传送基材通过该第二 可密封的细缝;及 一温度调整机构,其被建构成可调整该传送室中之 一基材的温度。2.如申请专利范围第1项所述之设 备,其中该温度调整机构包含一被建构成可支撑至 少一基材的温度调整板;及 更包含一具有一或多个基材贮存件之可活动的基 材托架,其被建构成可将至少一基材放置于该温度 调整板上。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其 中该基材托架包含多个基材贮存件。4.如申请专 利范围第2项所述之设备,其中该基材托架被建构 成可旋转且可升降至该温度调整板的一上表面的 高度之上及之下。5.如申请专利范围第2项所述之 设备,其更包含一基材搬移器,其被设置在该基材 托架之下且具有一被建构来固持一基材的载盘。6 .如申请专利范围第5项所述之设备,其中该基材托 架被建构成可将至少一基材置放在该基材搬移器 载盘之上。7.如申请专利范围第6项所述之设备,其 中该基材搬移器为一线性基材搬移器。8.如申请 专利范围第7项所述之设备,其中该温度调整板包 含一凹穴,及其中该线性的晶圆搬移器至少部分地 被设置于该凹穴中。9.如申请专利范围第5项所述 之设备,其中每一基材贮存件包含一对相对的晶圆 支撑件,其具有一路径穿过其间,该路径比该基材 搬移器载盘宽。10.如申请专利范围第6项所述之设 备,其中该室包含一位在一第一高度的细缝; 该温度调整板的上表面及该载盘系位在该第一高 度; 该基材托架被建构成可旋转且可升降至该第一高 度之上及之下;及 每一基材贮存件包含一对相对的晶圆支撑件,该对 晶圆支撑件具有一路径穿过其间,该路径比该基材 搬移器载盘宽。11.如申请专利范围第2项所述之设 备,其中该温度调整板、该基材托架及该基材搬移 器系耦合至该室的一第一壁上。12.如申请专利范 围第1项所述之设备,其中该温度调整机构包含一 温度调整板其被建构成可支撑二基材;及 更包含一可转动的基材托架,其具有三基材贮存位 置且被建构成可升降至该温度调整板的一上表面 之上及之下的位置;及 一线性基材搬移器,其被设置在该基材托架之下, 其具有一基材支撑件用来支撑一基材; 其中该基材托架及该基材支撑件被建构成,将该基 材托架降低以将该基材传递至该温度调整板及该 基材支撑件,及当该基材托架被降低时该基材支撑 件可移动穿过该第二可密封的细缝。13.一种传送 一基材至一真空处理室的方法,其至少包含: 将一基材置于一传送室中; 当该基材在该传送室中时,藉由一温度调整机构调 整该基材的温度;及 藉由位在该传送室中之一基材搬移器将该基材从 该传送室送至一真空处理室。14.如申请专利范围 第13项所述的方法,其中调整该基材的温度之步骤 包含将该基材置于一温度调整板上。15.如申请专 利范围第13项所述的方法,其更包含贮存至少一第 一基材及当一第二基材在该真空处理室中被处理 时,调整该第一基材的温度。16.一种真空处理的设 备,其至少包含: 一或多个真空处理室; 一可密封的传送室,其被建构成可在真空与大气压 力之间被抽真空或排气,且包含一可旋转的基材贮 存件在该基材搬移器上方之一平面上操作; 其中该基材贮存件及该基材搬移器被建构成在它 们之间的相对运动可将该一基材传送于该基材搬 移器与该基材贮存件之间; 一基材搬移器,其被容纳在该可密封的传送室内; 及 一控制器,其耦合至该可密封的传送室,被程式化 用以在真空与大气压力之间对该传送室抽真空或 排气,每次一基材系被装载至该处理设备中或从该 处理设备中被撤出。17.如申请专利范围第16项所 述之设备,其中该基材搬移器包含一载盘用来支撑 一基材;及 该基材贮存件包含多个相对的基材支撑件其界定 一通道,该基材搬移器载盘可通过该通道。18.如申 请专利范围第16项所述之设备,其中该基材贮存件 及该基材搬移器两者都是由该可密封的传送室的 一第一壁所支撑,使得当该第一壁变形时,该基材 贮存件及该基材搬移器两者都会移动。19.如申请 专利范围第18项所述之设备,其更包含一温度调整 板其被建构成可支撑一基材于其上;其中该基材贮 存件及该温度调整板被安排成它们之间的相对运 动可将一基材传送于该基材贮存件与该温度调整 板之间,及其中该温度调整板是由该可密封的传送 室的第一壁所支撑。20.一种传送一基材至一真空 处理室的方法,其至少包含: 将一基材置于一负载锁定/传送室内的一可转动的 基材托架上,该基材托架具有至少二水平地相邻的 贮存位置; 将该负载锁定/传送室抽吸至一意欲的真空程度; 将一基材传递至一位在该负载锁定/传送室内的基 材搬移器,其系藉由将一贮存位置定位在该基材搬 移器的上方,及改变该基材托架相对于该基材搬移 器之高度而达成; 打开一可密封的细缝,该细缝将该负载锁定/传送 室连结至一真空处理室;及 藉由位在该负载锁定/传送室内的该基材搬移器将 该基材传送通过该可密封的细缝而进入到该真空 处理室。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其 中传送该基材之步骤包含沿着一条从该负载锁定/ 传送室至该处理室的直线传送该基材。22.如申请 专利范围第20项所述之方法,其中将一基材置于该 负载锁定/传送室之步骤包含了将二基材置于该负 载锁定/传送室中;及 更包含将该二基材之其中一者贮存在该负载锁定/ 传送室中,而另一基材则在该真空处理室中进行处 理。23.一种基材搬移的设备,其至少包含: 一可密封的室,其具有一主要部分及一较小之朝外 延伸的部分; 一可旋转的基材托架,其位在该可密封的室中,该 可旋转的基材托架具有: 至少一基材贮存位置,其位在该可密封室的主要部 分中; 一内部磁铁支撑部分,其从该可旋转的基材托架延 伸至该可密封的室之朝外延伸的部分中; 至少一内部磁铁,其装附于位在该可密封的室之朝 外延伸的部分中之内部磁铁支撑部分上; 至少一外部磁铁,其位在该可密封的室之朝外延伸 的部分之外且磁性地与该至少一内部磁铁相耦合; 及 一马达,其耦合至该至少一外部磁铁且被建构成可 将该外部磁铁绕着该可密封的室之朝外延伸的部 分旋转,以使该可旋转的基材支撑件转动。24.如申 请专利范围第23项所述之设备,其中该马达被进一 步建构成可将该外部磁铁升高及降低,用以使该可 旋转的基材支撑件的升高及降低。25.一种基材搬 移的设备,其至少包含: 一室,其具有: 一温度调整板,其位在该室的一上部中,且具有一 基材支撑表面; 一基材搬移器,其位在该室的一下部中且具有一基 材支撑载盘;及 一可旋转的基材托架,其被建构成可升降于一高于 该温度调整板之该基材支撑表面的高度与一低于 该基材搬移器之该基材支撑载盘的高度之间。26. 如申请专利范围第25项所述之设备,其中该温度调 整板是被建构来冷却被置于其上之一基材。27.如 申请专利范围第25项所述之设备,其中该温度调整 板是被建构来加热被置于其上之一基材。28.如申 请专利范围第25项所述之设备,其中该可旋转的基 材托架包含多个基材座,每一基材座包含: 一对相对的基材支撑件,其界定一路径,该基材搬 移器及该温到调整板可通过该路径。29.如申请专 利范围第28项所述之设备,其中该温度调整板中形 成有多个槽口,该等基材支撑件可通过该等槽口。 30.如申请专利范围第25项所述之设备,其中该温度 调整板、该基材搬移器及该可旋转的基材托架每 一者都耦合至该室的一共同表面上。31.如申请专 利范围第30项所述之设备,其中该室的该共同表面 为该室的一底表面。32.一种基材处理的系统,其至 少包含: 一传送室,其包含: 一室,其具有: 一温度调整板,其位在该室的一上部中且具有一基 材支撑件; 一基材搬移器,其位在该室的一下部中且具有一基 材支撑载盘; 一可旋转的基材托架,其被建构成可升降于一高于 该温度调整板的基材支撑表面的高度与一低于该 基材搬移器的该基材支撑载盘的高度之间;及 至少一处理室,其耦合至该传送室以使该基材搬移 器可传送基材于它们之间。33.如申请专利范围第 32项所述之基材处理系统,其更包含: 一负载锁定室,其耦合至该传送室。34.一种基材处 理的方法,其至少包含: 置放一基材于一传送室中之一可旋转基材托架上; 升高该可旋转的基材托架至一高于一温度调整板 的高度; 转动该可旋转的基材托架用以将该基材放置在与 该温度调整板对齐的位置; 降低该可旋转的基材托架用以将该基材置放于该 温度调整板上;及 藉由与该温度调整板接触来调整该基材的温度。 35.如申请专利范围第34项所述之方法,其更包含: 升高该可旋转的基材托架用以将该基材从该温度 调整板上举起; 旋转该温度调整板用以将该基材移离该温度调整 板之上方的区域; 降低该可旋转的基材托架至一低于该基材搬移器 载盘的高度,用以将该基材传送至该基材搬移器载 盘上;及 经由该基材搬移器将该基材传送至另一室。图式 简单说明: 第1图为一包含一较佳的基材托架及温度调整板之 室的俯视图; 第2A图为第1图中之室的俯视图,其显示一基材搬移 器在一伸展的位置上; 第2B图为第1图中之室的俯视图,其显示一基材搬移 器在一收回的位置上; 第3A图为被建构来加热之一温度调整板的侧视图; 第3B图为被建构来冷却之一温度调整板的侧视图; 第3C图为被建构来加热及冷却之一温度调整板的 侧视图; 第4A图为一前视图,其显示被磁性地耦合的基材托 架位在一升高的位置上; 第4B图为一前视图,其显示被磁性地耦合的基材托 架位在一降低的位置上; 第5A图为第1图中之室的一前视图,该室包含一被磁 性地悬浮及磁性地耦合的基材搬移器; 第5B图为第1图中之室的一侧视图,该室包含第5A图 中之被磁性地悬浮及磁性地耦合的基材搬移器; 第6图为一与第1图中之室相似之室的俯视图,其包 含一基材托架及一升高的温度调整板其上可置放 一基材;及 第7图为第6图中之室沿着线7-7所取的剖面图。 |
