| 摘要 |
<P>Transistor et procédé de fabrication d'un transistor bipolaire du type double-polysilicium à base à hétérojonction, dans lequel on forme par épitaxie non sélective, une couche semi-conductrice à hétérojonction SiGe 2 sur une région active ZA d'un substrat SB et une région isolante STI entourant ladite région active ZA, on forme sur la couche semi-conductrice 2 au-dessus d'une partie de ladite région active, au moins une couche d'arrêt 3, on forme sur la couche semi-conductrice 2 et sur une partie de la couche d'arrêt 3 une couche de polysilicium 5 et une couche isolante supérieure 6 en laissant libre une fenêtre d'émetteur 7, et on forme par épitaxie une région d'émetteur 9 dans ladite fenêtre d'émetteur 7, reposant partiellement sur la couche isolante supérieure 6 et en contact avec la couche semi-conductrice 2.</P>
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