发明名称 ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE REAR-FACED CONTACTING OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要 <p>Es wird ein Grundkörper (21) bereitgestellt, auf dem ein erster Dichtungsring (23) und ein zweiter Dichtungsring (24) angeordnet sind. Auf den Dichtungsringen wird ein Substrat (1) angeordnet, so daß ein Hohlraum (25) zwischen dem ersten Dichtungsring (23), dem zweiten Dichtungsring (24), dem Grundkörper (21) und dem Substrat (1) gebildet wird. In den Hohlraum (25) ist eine Ätzsubstanz zum Freiätzen einer auf das Substrat (1) aufgebrachten leitfähigen Schicht einleitbar. Ist eine auf der Substratrückseite aufgebrachte leitfähige Schicht (5) freigelegt, so kann in den Hohlraum (25) ein Elektrolyt eingefüllt werden, der die leitfähige Schicht (5) und somit die Substratrückseite kontaktiert.</p>
申请公布号 WO2002073663(A1) 申请公布日期 2002.09.19
申请号 DE2002000670 申请日期 2002.02.22
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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