| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle (1), die einen Graben (3) aufweist, in dem ein Grabenkondensator angeordnet ist. Weiterhin ist in dem Graben (3) ein vertikaler Transistor oberhalb des Grabenkondensators gebildet. Zum elektrischen Anschluß der leitfähigen Grabenfüllung (10) an ein unteres Dotiergebiet (18) des vertikalen Transistors wird eine Barrierenschicht (60) angeordnet. Die Barrierenschicht (60) ist eine Diffusionsbarriere für Dotierstoffe oder Verunreinigungen, die in der leitfähigen Grabenfüllung enthalten sind.</p> |
