| 摘要 |
<p>Es wird ein Grabenkondensator in einem Graben (30) gebildet, der in einem Substrat (20) angeordnet ist. Der Graben (30) ist mit einer leitfähigen Grabenfüllung (50) als innere Kondensatorelektrode gefüllt. Auf der Seitenwand des Grabens (30) auf dem Substrat (20) wird eine epitaktische Schicht (75) aufgewachsen. Zwischen der leitfähigen Grabenfüllung (50) mit der zweiten Zwischenschicht (65) und der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (75) ist ein vergrabener Kontakt (60) angeordnet. In der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (75) ist eine Dotierstoffausdiffusion (80) angeordnet, die aus dem vergrabenen Kontakt (60) heraus gebildet wird. Durch die epitaktisch aufgewachsene Schicht (75) ist die Dotierstoffausdiffusion (80) weiter von einem neben dem Graben angeordneten Auswahltransistor (10) entfernt, wodurch Kurzkanaleffekte in dem Auswahltransistor (10) vermieden werden können.</p> |
