| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR MEMORY WITH COLUMN GATES AND METHOD OF CONTROLLING COLUMN GATES |
| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 반도체 메모리는 내부 메모리 셀에 접속된 비트 라인쌍을 구비한다. 감지 증폭기는 비트 라인쌍을 가로질러 접속된다. 컬럼 게이트쌍은 상기 비트 라인쌍에 접속되고, 데이터 버스쌍은 컬럼 게이트쌍을 통해 비트 라인쌍에 접속된다. 컬럼 게이트 구동 제어 회로는 컬럼 게이트쌍에 접속되고, 기록 마스크 동작시 선택된 컬럼 게이트쌍을 오프시킨다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100353484(B1) |
申请公布日期 |
2002.09.19 |
| 申请号 |
KR19990012452 |
申请日期 |
1999.04.09 |
| 申请人 |
후지쯔 가부시끼가이샤 |
发明人 |
아이카와다다오;사토야스하루;고바야시히로유키;이케다히토시 |
| 分类号 |
G11C11/403;G11C7/10;G11C7/22 |
主分类号 |
G11C11/403 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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