发明名称 PATTERING METHOD
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de formation de motifs sur un substrat dans lequel un premier matériau en solution est déposé sur le substrat. La composition de la solution du premier matériau est sélectionnée de manière qu'il sèche afin de laisser un résidu du premier matériau sur le substrat, le résidu comprenant une couche mince située au centre et une nervure sur le périmètre. Le résidu est gravé afin d'éliminer la couche mince, laissant la nervure sur le substrat. Après gravure, la nervure est hydrophobe et le substrat est hydrophile. Une solution aqueuse d'un second matériau est ensuite déposée sur les deux côtés de la nervure. Une fois que la solution aqueuse a séché, la nervure est éliminée, laissant une couche du second matériau sur le substrat, la couche présentant un espace étroit. La couche peut être utilisée pour les électrodes de source et de drain d'un transistor en couches minces organiques.</p>
申请公布号 WO2002073712(A1) 申请公布日期 2002.09.19
申请号 GB2002001118 申请日期 2002.03.11
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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