| 摘要 |
<p>본 발명은 화학기상증착(CVD;Chemical Vaper Deposition)법에 의한 막상의 다이아몬드 합성 방법에 있어서, 합성 중 막에 인가되는 고유응력(intrinsic stress)을 제어하고, 최적의 기판을 선택하여, 균열(crack)이 없고 평탄한 다이아몬드 자유막을 제작하는 합성 방법에 관한 것이다. 특히 일정의 증착 온도에서 다이아몬드막을 일정 두께로 증착시킨 후 합성 중 증착 온도를 연속적으로 또는 여러 단계로 감소 또는 증가시켜, 합성 중 다이아몬드막에 압축 또는 인장응력을 유도하여 다이아몬드막에 인가된 압축 또는 인장응력을 상쇄시킴에 의해 성장 균열이 없는 다이아몬드 자유막을 제작하고, 또한 기판 재료로 탄성계수가 큰 텅스텐을 사용하여 휨이 없는 평탄한 자유막을 제작하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 종래 다이아몬드막 합성시 발생되었던 성장균열을 효과적으로 없앨 수 있으며, 막의 휨이 없는 균일하고 평탄한 다이아몬드막을 합성할 수 있다.</p> |
