| 发明名称 | 具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法。GaN系列表面发射激光二极管包含:有源层;有源层的相对侧面上的p型和n型材料层;形成在n型材料层上的第一分布布喇枚反射器(DBR);通过n型材料层与有源层连接的n型电极,以便为了发射激光给有源层施加电压;形成在p型材料层上的隔离层,在与第一DBR层对准的部分中具有激光输出窗口,隔离层足够厚,以便使空穴能有效地迁移到有源层的中心部分;形成在激光输出窗口上的第二DBR层;和通过p型材料层与有源层连接的p型电极,以便为了发射激光给有源层施加电压。成型激光输出窗口使得可以补偿由隔离层的形成而导致的激光束的衍射。 | ||
| 申请公布号 | CN1369940A | 申请公布日期 | 2002.09.18 |
| 申请号 | CN02103401.X | 申请日期 | 2002.01.31 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 朴容助;河镜虎;田宪秀;朴时贤 |
| 分类号 | H01S5/18;H01S5/323 | 主分类号 | H01S5/18 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1一种表面发射激光二极管，包括：有源层；有源层的相对侧上的p型和n型材料层；形成在n型材料层上的第一分布布喇枚反射器(DBR)；通过n型材料层与有源层连接的n型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压；形成在p型材料层上的隔离层，在与第一DBR层对准的部分中具有激光输出窗口，隔离层足够厚，以便使空穴能有效地迁移到有源层的中心部分；形成在激光输出窗口上的第二DBR层；和通过p型材料层与有源层连接的p型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||