CMOS电路的n阱偏压的预设电路及其方法

摘要

本发明说明一种互补式金属氧化物半导体电路的n阱偏压的预设电路及其方法。本发明在电源开启的瞬间将位于n阱区域的一n阱偏压点电连接至电源电压,以避免晶体管电路发生锁定效应。在若干个时钟脉冲后,将该电源电压隔离于该n阱偏压点,且将一n阱偏压电路的输出电连接至该n阱偏压点,以降低该晶体管电路的体效应。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体电路的n阱偏压的预设电路，包含：一电源开启检测模块，用于检测该晶体管电路的电源是否开启；一n阱偏压电路，用于产生电压值小于电源端电压的一输出；及一切换开关模块，连接于该电源开启检测模块及该n阱偏压电路；若该电源开启检测模块检测出该晶体管电路电源的开启，则电连接该电源端至该晶体管电路的一n阱偏压点，以避免该晶体管电路发生锁定效应；且在若干个时钟脉冲后，将该电源端隔离于该n阱偏压点，且电连接该n阱偏压电路的输出至该n阱偏压点，以降低该晶体管电路的体效应。