| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 콘택 형성방법에 관한 것으로, 종래 반도체소자의 콘택 형성방법은 콘택홀을 형성하기위해 층간절연막을 플라즈마 식각방법으로 식각하는 경우에 폴리머 부산물이 다량 발생하여, 형성된 홀의 벽면에 증착되므로 그 폴리머 부산물이 식각마스크 역할을 하여 질화막의 식각범위가 줄어들어 콘택하부의 크기가 작아지는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 활성영역과 격리영역이 형성된 반도체기판상에 다수의 게이트를 형성하고, 그 구조물 상부전면에 질화막을 형성한 후 그 상부에 층간절연막을 높이 형성하고, 그 상부에 상기 게이트간의 이격영역에 맞추어 감광막패턴을 형성하는 제 1공정과; 상기 형성한 감광막패턴을 마스크로 상기 게이트간 이격영역의 질화막이 드러나도록 층간절연막을 식각하는 제 2공정과; 상기 층간 절연막의 식각과정에서 생긴 폴리머 부산물을 Ar과 O의 혼합가스를 사용하는 후속플라즈마 처리방법으로 제거하는 제 3공정과; 상기 감광막패턴을 마스크로 상기 질화막을 반도체기판이 드러나도록 식각하여 콘택홀을 형성하는 제 4공정으로 이루어지는 반도체소자의 콘택 형성방법을 통해, 층간절연막을 식각하면서 생기는 폴리머 부산물을 Ar과 O가스를 이용하는 후속플라즈마 처리를 통해 제거할 수 있도록 함으로써 콘택하부의 크기가 작아지는 것을 방지하여 하부층과의 접촉면적을 확보할 수 있어 콘택의 전기적 특성을 유지할 수 있는 효과가 있다.</p> |
