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<p>본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상에 도전층을 형성하고 그 상부에 비정질실리콘이나 폴리실리콘의 함량을 5 ∼ 30 부피 퍼센트 함유하는 제1과실리콘산화질화막을 형성한 다음, 상기 제1과실리콘산화질화막을 플라즈마 처리하여 상기 제1과실리콘산화질화막 표면에 산화막을 형성하고 상기 도전층을 패터닝하여 도전배선을 형성한 다음, 상기 도전배선 측벽에 비정질실리콘이나 폴리실리콘의 함량을 5 ∼ 30 부피 퍼센트 함유하는 제2과실리콘산화질화막으로 스페이서를 형성하는 공정후 후속공정으로 층간절연막을 형성한 다음, 자기정렬적인 콘택공정을 용이하게 실시할 수 있도록 함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |
