PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.

摘要

SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN EL QUE SE PROPORCIONA UN PRIMER SUSTRATO HECHO DE SILICIO QUE TIENE UNA CAPA DE SILICIO POROSO FORMADA SOBRE EL MISMO, HACIENDO POROSO EL SILICIO DEL SUBSTRATO Y UNA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO, RECRECIDA DE MODO EPITAXIAL EN LA CAPA DE SILICIO POROSO, DESPUES SE LAMINA EL PRIMER SUSTRATO SOBRE UN SEGUNDO SUSTRATO EN UN ESTADO EN EL QUE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE LAMINACION DEL PRIMER Y DEL SEGUNDO SUSTRATO TENGA UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO Y LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO SE INTERPONGA ENTRE LOS SUSTRATOS LAMINADOS, Y FINALMENTE SE ELIMINA LA CAPA DE SILICIO POROSO MEDIANTE DECAPADO EN EL QUE LA CAPA DE SILICIO POROSO SE ELIMINA MEDIANTE UNA SOLUCION DE ATAQUE QUE DECAPE LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO Y LA CAPA DE OXIDO DE SILICIO A INDICES DE DECAPADO NO SUPERIORES A 10 ANGSTROMS POR MINUTO.