| 摘要 |
<p>본 발명은 도트의 균일성과 재현성을 향상시켜 소자의 신뢰성을 극대화하는데 적당한 싱글 일렉트론 트랜지스터 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 싱글 일렉트론 트랜지스터 제조방법은 SOI웨이퍼의 실리콘층에 불순물 이온주입을 실시하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층을 패터닝하여 싱글 일렉트론 트랜지스터 형성영역을 정의하는 공정과, 상기 패터닝된 실리콘층상에 제 1 절연층을 형성한 후, 상기 제 1 절연층의 소정부분을 제거하여 상기 실리콘층을 소정부분 노출시키는 공정과, 상기 노출부위의 실리콘층을 식각하여 상기 SOI웨이퍼의 산화막이 노출되도록 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 실리콘층의 식각부위에 제 2 절연층을 형성하는 공정과, 상기 트렌치내에 전도성 물질을 매립하여 도트를 형성하는 공정과, 상기 도트상에 제 3 절연층을 형성한 후, 상기 제 3 절연층상에 컨트롤 게이트를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.</p> |
