发明名称 Gezielte lokale Erzeugung von Öffnung in einer Schicht
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gezielten lokalen Erzeugung von Öffnungen in einer Schicht (15), insbesondere an mikroelektronischen Strukturen, wobei auf ein Substrat (1, 5, 7, 9) eine erhabene Hilfsstruktur (11) aufgebracht wird, so dass sie einen Teil der Oberfläche des Subtrats (1, 5, 7, 9) bedeckt, die zu öffnende Schicht (15) auf die Hilfsstruktur (11) aufgebracht wird und durch planares Ätzen Material der Schicht (15) und ggf. weiteres Material (17) entfernt wird bis die Schicht (15) an der Hilfsstruktur (11) geöffnet wird, und das Hilfsmaterial (13) freigelegt wird.
申请公布号 DE10066082(A1) 申请公布日期 2002.09.12
申请号 DE20001066082 申请日期 2000.06.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHINDLER, GUENTHER;KROENKE, MATTHIAS
分类号 H01L27/108;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;(IPC1-7):H01L21/283;H01L21/308 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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