摘要 |
<p>Eine Hohlraumstruktur (100) in einer integrierten Schaltung weist auf eine erste Schicht (101), eine erste Schichtoberfläche (103) und auf dieser nebeneinander angeordnete Stege (104), welche Zwischenräume (401) einschliessen sowie eine zweite Schicht (105) und darauf eine dritte Schicht (106) aufweisen, mit einer einige der Zwischenräume (401) abschliessenden vierten Schicht (107), welche auf der dritten Schicht (106) angeordnet ist und eine zweite Schichtoberfläche (108) aufweist, und bei der mittels der vierten Schicht (107) nicht abgeschlossene Zwischenräume (401) mit elektrisch leitendem Material angefüllt sind.</p> |