| 主权项 |
1.一种再循环装置,其系连接至一半导体清洗装置中,而该清洗装置系利用含氨之清洁溶液来清洗半导体基板,该再循环装置系从清洁装置排出的废水溶液中回收氨,并纯化该废水溶液,以在清洁装置中再利用经回收的氨水,该再循环装置包含:一固态物移除装置,其用来从废水溶液中移除固态物;一精馏塔,其将已移除固态物之废水溶液进行精馏,且于塔顶产生浓缩氨水;一第一管路,其系用来将半导体清洁装置所排放之废水溶液饲入固态物移除装置;一第二管路,其系用来将来自固态物移除装置中已移除固态物之废水溶液馈入精馏塔,以及;一第三管路,其用来将浓缩氨水从精馏塔移除,且馈入至清洁装置。2.如申请专利范围第1项之再循环装置,其中该精馏塔系将至少一部份的化学物质移除,该化学物质之沸点小于浓缩氨水中之氨的沸点。3.如申请专利范围第2项之再循环装置,其进一步包含一连接至第三管路之纯化器,其系用以产生具有杂质浓度为30ppb或更少之高纯度氨水,该高纯度氨水系藉由纯化已去除至少一部份沸点低于氨之化学物质的浓缩氨水而获得的。4.如申请专利范围第1项之再循环装置,其中该清洁溶液系为含有氨水、过氧化氢以及纯水之混合物。5.一种再循环方法,其系从半导体清洁装置所排放之废水溶液中回收氨,该半导体清洁装置系利用含氨之清洁溶液来清洁半导体基板,并纯化该废水溶液,以在清洁装置中作为再利用的经回收氨水,该再循环方法包含;从废水溶液中移除固态物;以及将已移除固态物之废水溶液进行精馏,藉此在塔顶产生浓缩氨水。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该清洁溶液系为含有氨水、过氧化氢以及水之混合物。7.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含从浓缩氨水中移除至少一部份具有沸点小于氨的化学物质。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该清洁溶液系为含有氨水、过氧化氢以及纯水之混合物。9.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含产生具有杂质浓度为30ppb或更少之高纯度氨水,该高纯度氨水系藉由纯化已去除至少一部份沸点低于氨之化学物质的浓缩氨水而获得的。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该清洁溶液系为含有氨水,过氧化氢以及纯水之混合物。图式简单说明:本图式系一概要示意图,其中显示本发明之一示例性特征的再循环装置。 |
