| 主权项 |
1.一种产生极短波辐射之方法,其中一介质系输送通过一真空空间,且每次真空空间内一部分介质系以一脉冲及聚焦式富能量雷射束辐射,该部分之介质转变成一电浆以放射极短波辐射,其特征在该介质系隐埋于稀有气体之至少一黏性流中,而稀有气体以平行于介质移动之方向输送通过真空空间。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在稀有气体之至少二黏性流系通过供尚未受辐射之一部分介质传送之一部分真空空间。3.如申请专利范围第1项之方法,其特征在氦气系使用为一稀有气体。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征在一金属系使用为一介质,其在以一雷射束辐射时即形成一电浆以放射极短波辐射。5.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征在个别液体滴粒之一连续流系使用为一介质,其在以一雷射束辐射时即形成一电浆以放射极短波辐射。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征在水滴系使用为液体滴粒。7.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征在一群集气体系使用为一介质,其在以一雷射束辐射时即形成一电浆以放射极短波辐射。8.如申请专利范围第7项之方法,其特征在该气体系氙。9.一种制造显示基板上表面和层图样之装置之微影方法,其中该装置具有小于0.25微米之最小尺寸,在该方法中以连续的步骤而图样化该装置之不同层,首先藉由EUV辐射成像在涂覆辐射敏感性层之基板上一对应于所需装置层图样之一特定光罩图样,及随后由该光罩影像标记之图样区域移除材料或添加材料至该光罩影像标记之图样区域,其中利用如申请专利范围第1.2或3项之方法产生该EUV辐射。10.一种极短波辐射源单元,包含:-一源空间,系在一第一侧上连接于一真空泵浦;-一入口装置,系提供于源空间之一第二侧上,供导送介质至源空间内;-一脉冲式高功率雷射,及-一光学系统,系将雷射供给之雷射束聚焦于供可动性介质通过之源空间内一固定位置上,其特征在第二侧上之源空间系连接于一稀有气体入口,以在围封介质之源空间内建立稀有气体之一黏性流,该流系平行于介质之移动方向。11.如申请专利范围第10项之极短波辐射源单元,其中源空间系由一壁面围封,该壁面具有多数孔以令雷射束进入及离开源空间,及令所生之极短波辐射离开源空间,其特征在一管件系配置于源空间第二侧上之源空间内,且平行于介质之移动方向,该管件连接于该入口,以建立稀有气体之黏性流。12.如申请专利范围第11项之极短波辐射源单元,其特征在一第二管件系配置平行于源空间内之第一管件,该第二管件连接于该入口,以建立平行于介质移动方向之稀有气体之一第二黏性流。13.如申请专利范围第10项之极短波辐射源单元,其特征在源空间系由第一侧上之一第一封闭部、第二侧上之一第二封闭部、及一连通至周围环境之中央部构成,其中第二源空间部之壁面系由一连接于该稀有气体入口之管件构成,及其中管件之壁面与第一源空间部之壁面系在源空间之中央部区域具有此一形状,使其构成一喷射件形状。14.如申请专利范围第10项之极短波辐射源单元,其特征在源空间系由第一侧上之一第一封闭部、第二侧上之一第二封闭部、及一连通至周围环境之中央部构成,其中第二源空间部之壁面系由一连接于该稀有气体入口之环形管件构成,及其中管件之壁面与第一源空间部之壁面系在源空间之中央部区域具有此一形状,使其构成一环形喷射件形状。15.如申请专利范围第10至14项任一项之极短波辐射源单元,其特征在入口装置系一输送一金属带或线通过源空间之装置。16.如申请专利范围第10至14项任一项之极短波辐射源单元,其特征在入口装置具有一管件,供导送一可动性介质至源空间内。17.如申请专利范围第16项之极短波辐射源单元,其特征在可动性介质系由液体滴粒构成。18.如申请专利范围第17项之极短波辐射源单元,其特征在该液体滴粒系水滴。19.如申请专利范周第16项之极短波辐射源单元,其特征在可动性介质系由一群集气体构成。20.如申请专利范围第19项之极短波辐射源单元,其特征在该气体系氙。21.如申请专利范围第16项之极短波辐射源单元,其特征在入口装置包含使可动性介质用管件振动之装置。22.一种微影投射装置,供成像一光罩图案于一备有一辐射敏感性层之基板上,该装置包含一照射系统供照射光罩图案,及一投射系统供成像所照射之光罩图案于基板上,照射系统包含一EUV辐射源,而照射系统之光学组件及投射系统者皆设于一真空空间内,其特征在EUV辐射源系如申请专利范围第10.11.12.13或14项之辐射源单元。图式简单说明:图1揭示可使用本发明辐射源单元之一步进扫描式微影投射装置之第一实施例;图2揭示此一装置之第二实施例;图3系一EUV辐射源单元之习知实施例截面图;及图4.5.6分别揭示本发明辐射源单元之一第一、第二及第三实施例之一部分截面图。 |
