| 主权项 |
1.一种绝缘闸型半导体装置,系具备:形成于第一导电型半导体基板上的第一闸极绝缘膜;与该第一闸极绝缘膜相邻接,并具有大于第一闸极绝缘膜之膜厚的第二闸极绝缘膜;形成于前述第一和第二闸极绝缘膜上的闸极电极;及形成于离开前述闸极电极的位置上的第二导电型源极层和汲极层,前述闸极电极系由:形成于前述第一闸极绝缘膜上的第一矽层;及重叠于前述第一矽层上,且搭叠于前述第二闸极绝缘膜一部份上的第二矽层所构成。2.如申请专利范围第1项之绝缘闸型半导体装置,其中,前述第二导电型源极层和汲极层系形成于离开第二矽层一端的位置上。3.如申请专利范围第1项之绝缘闸型半导体装置,其中,前述第一矽层系垫多晶矽层。4.如申请专利范围第1项之绝缘闸型半导体装置,其中,前述第二导电型源极层和汲极层系形成于低浓度的第二导电型源极层和汲极层中。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之绝缘闸型半导体装置,其中,前述第一和第二矽层系由多晶矽层或非晶矽层所构成。6.一种绝缘闸型半导体装置之制造方法,系包含:在第一导电型半导体基板上形成第一闸极绝缘膜的制程;在前述第一闸极绝缘膜的预定区域上重叠形成第一矽层和耐氧化膜的制程;藉由将前述耐氧化膜当作遮罩的选择氧化,形成场氧化膜和第二闸极绝缘膜的制程;去除前述耐氧化膜后,全面形成第二矽层的制程;形成闸极电极的制程,该闸极电极系由残留在前述第一闸极绝缘膜上的前述第一矽层、及重叠在该第一矽层上,且搭叠于前述第二闸极绝缘膜上的第二矽层所构成;及在离开前述闸极电极的位置上形成第二导电型源极层和汲极层的制程。7.一种绝缘闸型半导体装置之制造方法,系包含:在第一导电型半导体基板上形成低浓度的第二导电型源极层和汲极层的制程;在前述半导体基板上形成第一闸极绝缘膜的制程;在前述第一闸极绝缘膜的预定区域中重叠形成第一矽层和耐氧化膜的制程;藉由将前述耐氧化膜当作遮罩的选择氧化,形成场氧化膜和第二闸极绝缘膜的制程;去除前述耐氧化膜后,全面形成第二矽层的制程;形成闸极电极的制程,该闸极电极系由:残留在前述第一闸极绝缘膜上的前述第一矽层;及重叠在该第一矽层上,且搭叠于前述第二闸极绝缘膜上的第二矽层所构成:及在离开前述闸极电极的位置上形成高浓度的第二导电型源极层和汲极层的制程。8.如申请专利范围第6.7项之绝缘闸型半导体装置之制造方法,其中,前述第一和第二矽层系由多晶矽层或非晶矽层所构成。9.如申请专利范围第6.7项之绝缘闸型半导体装置之制造方法,其中,耐氧化膜系由氮化矽所构成。图式简单说明:第1图为用以说明本发明实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第2图为用以说明本发明实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第3图为用以说明本发明实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第4图为用以说明本发明实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第5图为用以说明习知例之半导体装置制造方法的剖视图。 |
