| 主权项 |
1.一种具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,至少包括下列步骤:(a)提供一形成有包含第1型掺质之第1复晶矽层的半导体基底;(b)选择性蚀刻上述第1复晶矽层,直到露出上述半导体基底表面为止;(c)全面性形成一含有第2型掺质的第2复晶矽层,以覆盖在上述露出的半导体基底以及上述第1复晶矽层;(d)平坦化上述第2复晶矽层,使其上表面与上述第1复晶矽层上表面略为等高。2.如申请专利范围第1项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中上述第1掺质系N型掺杂离子,且上述第2掺质系P型掺杂离子。3.如申请专利范围第1项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中上述第1掺质系P型掺杂离子,且上述第2掺质系N型掺杂离子。4.如申请专利范围第1项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中形成步骤(a)之半导体基底的方法更包括下列步骤:(i)利用热氧化法在半导体基底表面形成一闸极氧化层;(ii)利用低压化学相沈积法以同步掺杂方式形成含有第1掺质的第1复晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中上述步骤(c)之前,更包括利用热氧化层在露出的半导体基底与露出的第1复晶矽层表面形成一闸极氧化层。6.如申请专利范围第5项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中步骤(d)之后,更包括在上述第1.第2复晶矽表面形成一金属矽化物层。7.如申请专利范围第6项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中形成上述金属矽化物层之前,更包括利用湿蚀刻法去除第2复晶矽层底部以外的闸极氧化层的步骤。8.如申请专利范围第1项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中步骤(b)更包括下列步骤:(i)在上述第1复晶矽层表面形成一光阻图案,以覆盖欲保护之区域的第1复晶矽层;(ii)利用上述光阻图案当作蚀刻罩幕,并且蚀刻上述第1复晶矽层直到露出上述半导体基底表面为止。9.如申请专利范围第1项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中步骤(d)之平坦化步骤系采用化学机械研磨法完成。10.一种具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,适用于包含PMOS电晶体区域以及NMOS电晶体区域的半导体基底,上述制作方法至少包括下列步骤:(a)提供一依序形成有第1闸极绝缘层以及N型掺质之第1复晶矽层的半导体基底;(b)形成一光阻图案,用来覆盖于上述NMOS电晶体区域的第1复晶矽层表面;(c)利用上述光阻图案当作蚀刻罩幕,并且蚀刻上述第1复晶矽以及上述第1闸极绝缘层,直到露出上述PMOS电晶体区域的半导体基底为止;(d)在上述露出的半导体基底形成一第2闸极绝缘层;(e)在上述半导体基底与上述第1复晶层上方,形成一具有P型掺质的第2复晶层;以及(f)化学机械研磨平坦化上述第2复晶层,以在上述PMOS电晶体域留下上表面与上述第1复晶层表面略为等高的第2复晶层。11.如申请专利范围第10项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中步骤(d)形成上述第2闸极绝缘层的方法系,利用热氧化法以在上述露出的半导体基底与露出的第1复晶层表面形成一热氧化层。12.如申请专利范围第11项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中形成上述金属矽化物层之前,更包括利用湿蚀刻法去除第2复晶矽层底部以外的闸极氧化层的步骤。13.如申请专利范围第10项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中上述步骤(f)之后,更包括在NMOS电晶体区域以及PMOS电晶体区域的第1复晶矽层以及第2复晶矽层的表面形成一金属矽化合物层。14.如申请专利范围第10项所述之具有不同掺质之复晶矽层的制作方法,其中形成步骤(a)之半导体基底的方法更包括下列步骤:(i)利用热氧化法在半导体基底表面形成一闸极氧化层;(ii)利用低压化学相沈积法以同步掺杂方式形成含有N掺质的第1复晶矽层。图式简单说明:第1A-第1E图系根据习知技术形成具有不同掺质之复晶矽层的制程剖面图。第2A-第2F图系根据本发明较佳实施例形成具有不同掺质之复晶矽层的制程剖面图。 |
