| 主权项 |
1.一种增加叠对准度的微影方法,适用于在一曝光模组下,进行至少一第一制程晶片与一第二制程晶片的曝光制程,其方法包括下列步骤:提供至少一第一光阻处理模组与一第二光阻处理模组,以及提供至少一第一移动座台与一第二移动座台;移动该第一制程晶片于该第一光阻处理模组内,用以进行该第一制程晶片的光阻形成处理;移动经过光阻形成处理的该第一制程晶片于该第一移动座台上;移动该第一移动座台至该曝光模组下方,进行该第一制程晶片的曝光;移动该第一制程晶片于该第一光阻处理模组内,用以进行该第一制程晶片的光阻显影处理;移动经过光阻显影处理的该第一制程晶片于该第一光阻处理模组的外部;移动该第二制程晶片于该第二光阻处理模组内,用以进行该第二制程晶片的光阻形成处理;移动经过光阻形成处理的该第二制程晶片于该第二移动座台上;移动该第二移动座台至该曝光模组下方,进行该第二制程晶片的曝光;移动该第二制程晶片于该第二光阻处理模组内,用以进行该第二制程晶片的光阻显影处理;以及移动经过光阻显影处理的该第二制程晶片于该第二光阻处理模组的外部;经由上述步骤,除了在同一该曝光模组下进行该等制程晶片的曝光之外,与该第一制程晶片接触的该第一光阻处理模组及一移动座台,都和与该第二制程晶片接触的该第二光阻处理模组及第二移动座台不同且互不接触,用以避免不同制程晶片互相污染,并且由于在同一该曝光模组下进行曝光,而增加该等制程晶片的叠对准度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中曝光该等晶片的该曝光模组系步进曝光模组或扫描曝光模组。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一制程晶片系指要进行微影定义poly层、接触窗或氧化层制程的晶片,而该第二制程晶片系指要进行微影定义铜或铝金属层制程的晶片。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一制程晶片系指要进行微影定义铜或铝金属层制程的晶片,而该第二制程晶片系指要进行微影定义poly层、接触窗或氧化层制程的晶片。5.如申请专利范围第1项所述之方法,该第一光阻处理模组更包括对该第一制程晶片进行加热或冷却处理。6.如申请专利范围第1项所述之方法,该第二光阻处理模组更包括对该第二制程晶片进行加热或冷却处理。7.一种增加叠对准度的微影装置,适用于在同一曝光模组下进行至少一第一制程晶片与一第二制程晶片的曝光制程,该微影装置包括:一曝光模组;至少一第一移动座台与一第二移动座台,该等移动座台位于该曝光模组的下方,并且该等移动座台可进行移动用以对准该曝光模组进行曝光制程;以及至少一第一光阻处理模组与一第二光阻处理模组,该第一光阻处理模组对应该第一移动座台,而该第二光阻处理模组对应该第二移动座台;该第一制程晶片对应于该第一光阻处理模组和第一移动座台,而该第二制程晶片对应于该第二光阻处理模组和第二移动座台,用以避免不同制程晶片互相污染,并且由于在同一该曝光模组下进行曝光,而增加该等制程晶片的叠对准度。8.如申请专利范围第7项所述之微影装置,其中该曝光模组系步进曝光模组或扫描曝光模组。9.如申请专利范围第7项所述之微影装置,其中该第一光阻处理模组更包括:至少一第一光阻形成次模组;至少一第一光阻显影次模组;至少一第一加热次模组;至少一第一冷却次模组;以及至少一第一晶片传输次模组,用以传送该第一制程晶片于上述次模组之间,以及该第一光阻处理模组与该第一移动座台之间。10.如申请专利范围第7项所述之微影装置,其中该第二光阻处理模组更包括:至少一第二光阻形成次模组;至少一第二光阻显影次模组;至少一第二加热次模组;至少一第二冷却次模组;以及至少一第二晶片传输次模组,用以传送该第二制程晶片于上述次模组之间,以及该第二光阻处理模组与该第二移动座台之间。11.如申请专利范围第7项所述之微影装置,其中该第一光阻处理模组与该第二光阻处理模组可被更包括在一光阻处理系统内,但该等光阻处理模组互相之间仍不接触。12.一种增加叠对准度的曝光装置,适用于在一曝光装置下进行至少一第一制程晶片与一第二制程晶片的曝光制程,其曝光装置包括:一曝光模组;以及至少一第一移动座台与一第二移动座台,该等移动座台位于该光学模组的下方,用以移动对准该曝光模组;该曝光装置的特征在于:该第一制程晶片对应于该第一移动座台,而该第二制程晶片对应于该第二移动座台,用以避免不同制程晶片互相污染,并且由于在同一该曝光装置下进行曝光,而增加该等制程晶片的叠对准度。13.如申请专利范围第12项所述之曝光装置,其中该曝光模组系步进曝光模组或扫描曝光模组。图式简单说明:第1图系显示习知扫描式曝光机之概略示意图。第2图系显示本发明之第一实施例流程示意图。第3a-3d图系显示本发明之第二实施例之俯视示意图。第4图系显示本发明之曝光装置之侧视示意图。 |
