| 主权项 |
1.一种增强电压对比(voltage contrast)之方法,可应用在一试片,且该试片具有一金属层、一介层、以及一接触窗,该增强电压对比之方法至少包括:研磨该试片;将该试片送入一电子显微镜中;以及根据复数个不同情况调整该电子显微镜之一电子束发射口至复数个不同孔径,且以该些不同孔径发射之复数个电子束照射该试片,以获得复数个电压对比之结果。2.如申请专利范围第1项所述之增强电压对比之方法,其中该研磨该试片之步骤中,系将该试片研磨至该金属层外露为止。3.如申请专利范围第1项所述之增强电压对比之方法,其中该研磨该试片之步骤中,系将该试片研磨至该介层外露为止。4.如申请专利范围第1项所述之增强电压对比之方法,其中该研磨该试片之步骤中,系将该试片研磨至该接触窗外露为止。5.一种藉着电压对比侦测缺陷之方法,可应用在一第一闸极氧化层、一第二闸极氧化层、与复数个井上,该藉着电压对比侦测缺陷之方法至少包括:在一第一电流范围中,侦测出漏电流现象及断路现象;在一第二电流范围中,侦测出漏电流现象及断路现象;以及在一第三电流范围中,侦测出漏电流现象及断路现象。6.如申请专利范围第5项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中该第二电流范围之一电压大于该第一电流范围之一电压。7.如申请专利范围第5项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中该第三电流范围之一电压大于该第二电流范围之一电压。8.如申请专利范围第5项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中在该第一电流范围中,可侦测出该第一闸极氧化层的漏电流现象,以及该第二闸极氧化层、一N+/P井、一P+/N井、一P+/P井、一N+/N井接触窗的断路现象。9.如申请专利范围第8项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中该第一闸极氧化层之一厚度大于该第二闸极氧化层之一厚度。10.如申请专利范围第5项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中在该第二电流范围中,可侦测出该第一闸极氧化层、该第二闸极氧化层的漏电流现象,以及一N+/P井、一P+/N井、一P+/P井、一N+/N井接触窗的断路现象。11.如申请专利范围第10项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中该第一闸极氧化层之一厚度大于该第二闸极氧化层之一厚度。12.如申请专利范围第5项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中在该第三电流范围中,可侦测出该第一闸极氧化层、该第二闸极氧化层、一N+/P井之漏电流现象,以及一P+/N井、一P+/P井、一N+/N井接触窗的断路现象。13.如申请专利范围第12项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中该第一闸极氧化层之一厚度大于该第二闸极氧化层之一厚度。14.如申请专利范围第5项所述之藉着电压对比侦测缺陷之方法,其中更包括当使用比该第一电流范围更小的电流之一电子束时,可侦测出一P+/N井接合面的漏电流现象。图式简单说明:第1A图为习知电压对比成像的基本原理之示意图,其中试片带+5伏特电压;第1B图为习知电压对比成像的基本原理之示意图,其中试片带-5伏特电压;第2图为习知不同类型的接触窗之电压对比成像之亮暗示意图;第3图为本发明之一较佳实施例之增强电压对比之方法之0.15m试片之电流-电压关系图; |
