| 主权项 |
1.一种用于p型金氧半场效电晶体之矽堆叠闸极结构,至少包括:一介电层,位于一半导体基底上;一第一复晶矽层,位于该介电层上;一微晶矽层,位于该第一复晶矽层上;一第二复晶矽层,位于该微晶矽层上,该第二复晶矽层中掺杂有一p型掺质,该微晶矽层之晶粒尺寸小于该第一与第二复晶矽层,且该微晶矽层抑制该p型掺质扩散进入该第一复晶矽层中。2.如申请专利范围第1项之结构,其中该第一与第二复晶矽层具有柱状结晶结构。3.如申请专利范围第1项之结构,其中该微晶矽层具有散乱的晶向结构。4.如申请专利范围第1项之结构,其中该微晶矽层在高温下仍维持其原有结晶结构。5.如申请专利范围第1项之结构,其中形成该微晶矽层的方法包括化学气相沉积法。6.如申请专利范围第4项之结构,其中该微晶矽层之前趋物包括矽甲烷。7.如申请专利范围第1项之结构,其中该微晶矽层系在含有氢气的气氛下形成。8.如申请专利范围第1项之结构,其中该p型掺质包括硼。9.一种形成用于p型金氧半场效电晶体之矽堆叠闸极结构的制程方法,该制程方法至少包括下列步骤:在一半导体基底上形成一介电层;在该介电层上形成一第一复晶矽层;在该第一复晶矽层上形成一微晶矽层;在该微晶矽层上形成一第二复晶矽层;图案化该第二复晶矽层、该微晶矽层、该第一复晶矽层以及该介电层;以及在该第二复晶矽层中掺杂一p型掺质,其中,该微晶矽层之晶粒尺寸小于该第一与第二复晶矽层,且该微晶矽层抑制该p型掺质进入该第一复晶矽层中。10.如申请专利范围第9项之制程方法,其中该第一与第二复晶矽层具有柱状结晶结构。11.如申请专利范围第9项之制程方法,其中该微晶矽层具有散乱的晶向结构。12.如申请专利范围第9项之制程方法,其中该微晶矽层在高温下仍维持其原有结晶结构。13.如申请专利范围第9项之制程方法,其中形成该微晶矽层的方法包括化学气相沉积法。14.如申请专利范围第9项之制程方法,其中该微晶矽层之前趋物包括矽甲烷。15.如申请专利范围第13项之制程方法,其中该微晶矽层系在含有氢气的气氛下形成。16.如申请专利范围第9项之制程方法,其中该p型掺质包括硼。17.一种在单一反应室中形成用于p型金氧半场效电晶体之矽堆叠层的方法,该反应室中载入有一晶圆,该方法至少包括下列步骤:在该反应室中注入一矽甲烷气体,于一反应温度下在该晶圆上形成一第一复晶矽层;在该反应室中注入一氢气与该矽甲烷气体,于该反应温度下在该第一复晶矽层上形成一微晶矽层;在该反应室中注入该矽甲烷气体,于该反应温度下在该微晶矽层上形成一第二复晶矽层。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该反应温约为680-800℃之间。19.如申请专利范围第17项之方法,其中该微晶矽层之晶粒尺寸小于该第一与第二复晶矽层。20.如申请专利范围第17项之方法,其中该微晶矽层具有散乱的晶向结构。21.如申请专利范围第17项之方法,其中该反应室包括低压化学气相沉积反应室。22.如申请专利范围第17项之方法,其中该氢气之体积分率约为3-60%。图式简单说明:第1图是绘示习知一种p型金氧半场效电晶体之结构剖面示意图,其容易发生硼穿透问题。第2图是绘示依照本发明之一较佳实施例,具有矽堆叠闸极结构之p型金氧半场效电晶体的结构剖面示意图。第3A-3C图是绘示依照本发明之一较佳实施例之p型金氧半场效电晶体之制程剖面示意图。 |
