| 主权项 |
1.一种基材处理室,其至少包含:一室主体;一室顶,设置于该室主体上;一位于该基材处理室中的环形电浆源,该环形电浆源包含一核心;一基材支撑件,其设置以固持一具有一处理表面的之实质平坦基材,其中该处理表面系相对于该核心并基本上与该核心平行;及一整形件,其设置于该环形电浆源与该基材之该处理表面间,该整形件具有一影响电浆密度分布之底表面。2.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其中上述整形件的区段具有一第一厚度及一第二厚度,该第一厚度较薄于该第二厚度,其中该第一厚度近似于该整形件的一中心电浆导管。3.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其中上述整形件的至少一外缘表面的至少一部位并未置于一平行于该基材平面的平面。4.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其更包含:一支撑件,该支撑件中用于环形电浆源之电力经由该支撑件传送至位于一铅线上的该环形电浆源上,该支撑件系支撑该环形电浆源于该室中。5.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其中上述环形电浆源包含一核心,该核心具有多数铁氧体片段及一具有一选定厚度的非磁性间隔件,该非磁性间隔件系设置于多数铁氧体片段之二者之间。6.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其更包含一直接镶设于该室上的射频产生器,且不需可调变匹配电路而操作耦接至该核心。7.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其中上述整形件具有一延伸超出基材边缘的外圆周部。8.如申请专利范围第1项所述之基材处理室,其中上述RF能量施加至该电浆源及电浆电流沿着基本上平行于该基材的电场线而形成。9.一种基材处理室,其至少包含:一室主体;一室顶,安置于该室主体上;一位于该基材处理室中的环形电浆源,该环形电浆源包含一核心;一基材支撑件,其设置以固持一具有一处理表面的基材,其中该处理表面系相对于该核心并基本上与该核心平行;一整形件,其设置于该环形电浆源与该基材之该处理表面间,该整形件具有一影响电浆密度分布之底表面,其中该整形件具有一延伸超出基材边缘的外圆周部;及其中该整形件更包含至少一气体埠。10.如申请专利范围第9项所述之基材处理室,其中上述气体系设置于该外圆周部上。11.如申请专利范围第9项所述之基材处理室,其中上述气体系沿着一中心电浆导管设置。12.一种基材处理室,其至少包含:一环形电浆源,其位于该基材处理室中的,该环形电浆源包含一核心;一基材支撑件,其设置以固持一具有一处理表面的基材,其中该处理表面系相对于该核心并基本上与该核心平行;及一底板,其设置于该环形电浆源与该基材之该处理表面间,该底板具有至少一气体埠。13.如申请专利范围第12项所述之基材处理室,其中上述底板具有一延伸超出基材边缘的外圆周部,且该气体埠系设置于外圆周部上。14.如申请专利范围第12项所述之基材处理室,其中上述设置于外圆周部上的气体埠系位于基材边缘的内部。15.一种基材处理室,其至少包含:一室顶,其具有多数管,每一管系以绕过一环形变压器核心的方式以完成该基材处理室内部的电浆路径环配置,该核心系位于基材处理室外;一第一电浆路径环,架构以提供一第一柱状电浆电流之一部份,该第一柱状电浆电流之一部份基本上平行于一基材的一处理表面;及一第二电浆路径环,架构以提供一第二柱状电浆电流之一部份,该第二柱状电浆电流之一部份基本上平行于该处理表面。16.如申请专利范围第15项所述之基材处理室,其中上述多数管的至少一管系选自于铝、阳极化铝,及不绣钢组成的群组。17.一种基材处理室,其至少包含:一室主体;一室顶,设置于该室主体上;一位于该基材处理室中的环形电浆源,该环形电浆源具有多数铁氧体片段;及一具有一选定厚度的非磁性间隔件,该非磁性间隔件系设置于多数铁氧体片段之二者之间。18.一种基材处理室,其至少包含:一外壳,其界定一真空处理室;一位于该外壳内的环形电浆源,该环形电浆源包含一核心;一基材支撑件,其设置以固持一位于该真空处理室的基材,该基材的一处理表面系相对于该核心并基本上与该核心平行;及一整形件,其设置于该环形电浆源与该基材之该处理表面间,其中该整形件更包含至少一气体埠及一影响电浆密度分布之底表面。19.如申请专利范围第18项所述之基材处理室,其中上述整形件至少包含多数个外部及内部气体埠、并具有一延伸超出基材边缘的外圆周部。20.一种基材处理室,其至少包含:一外壳,其界定一真空处理室;一电源供应器;一位于该真空处理室内的环形电浆源,该环形电浆源包含一核心;一耦接结构,其架构以转换该电源供应器的能量成该环形电浆源;一基材支撑件,其设置以固持一位于该真空处理室内部的基材,该基材的一处理表面系相对于该核心并基本上与该核心平行;其中该外壳至少包含一第一室内表面,该第一室内表面隔离该环形电浆源及耦接结构;及其中该环形电浆源所产生的电场线明显平行于该第一室内表面。21.如申请专利范围第20项所述之基材处理室,其中上述外壳至少包含多数个室内表面,其中该多数个室内表面包含该第一表面、一侧表面、及一顶表面;该基材支撑件包含一正对该环形电浆源的上表面;及该电场线明显平行于该外壳的该第一表面、该侧表面、顶表面及该基材支撑件的该上表面。22.一种基材处理室,其至少包含:一外壳,其界定一真空处理室;一位于该真空处理室内的环形电浆源,该环形电浆源包含一核心;一环形盖,其具有一至少部分围绕该核心的外表面;及一基材支撑件,其设置以固持一位于该真空处理室内部的基材,该基材的一处理表面系相对于该核心并基本上与该核心平行;其中该环形电浆源所产生的电场线基本上平行于该环形盖的该外表面。23.一种于一基材处理室内形成一电浆的方法,至少包含下列步骤:提供一电浆前驱物气体至该基材处理室中;初始产生一电浆于该基材处理室内;施加电力至该基材处理室内的一环形电浆源以形成一柱状电浆,其中该环形电浆源包含一主电路及一变压器之核心,该柱状电浆之作用相似于该处理室内的变压器之二次电路;及其中该柱状电的密度藉由该基材处理室中的一整形件而有所更改。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述电浆前驱物气体为一沉积前驱物气体,而该方法至少包含沉积一层于基材处理室中的一基材上的步骤。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述电浆前驱物气体系为一蚀刻前驱物气体,该方法更包含蚀刻该基材处理室中的一基材的步骤。26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述电浆前驱物气体系为一清洗前驱物气体,该方法更包含清洗该基材处理室的步骤。27.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述沉积前驱物气体经由一气体埠流入该基材处理室,该气体埠设置于环形电浆源的外周缘上,且该气体埠延伸超出该基材处理室中的一基材边缘。图式简单说明:第1图为依据本发明之一实施例之高密度化学气相沉积系统实施例的一简化图;第2图为依据本发明之一蚀刻处理之简化流程图;第3图为依据本发明之一实施例的沉积制程的简化流程图;第4A图为依据本发明之一实施例之室顶部之简化部份截去剖面图;第4B图为依据本发明之另一实施例之室顶部之简化剖面图;第4C图为依据本发明之另一实施例之室顶的简化俯视图;第4D图为示于第4C图之室顶的简化剖面图;第5图为依据本发明之一实施例之铁心,线圈及电源的简化图;第6图为依据本发明之一实施例之基材的处理表面之环形电浆源一部份之简化截去立体图;第7图为一环形盖俯视图及相关设备之简化示意图;第8图为依据本发明之一实施例之整形底板主简化剖面;及第9A-9H图为依据本发明之其他实施例之简化示意图。 |
