发明名称 含有多核之金属复合物之场致发光组件
摘要 一种场致发光组件,其包括一基材、一阳极、一场致发光元件及一阴极,其中至少两电极之一在可见光谱区为透明的,且场致发光元件包含一或多个选自电洞射入区、电洞传递区、场致发光区、电子传递区及电子射入区且成特殊次序之区域,其中所存在之各区亦可担任其他所述区域之功能,其特征在于场致发光元件包含多核之金属复合物。
申请公布号 TW502059 申请公布日期 2002.09.11
申请号 TW088114781 申请日期 1999.08.30
申请人 拜耳厂股份有限公司 发明人 修翰维;魏若夫;伊安德
分类号 C09K11/06;H05B33/14;C07D215/00 主分类号 C09K11/06
代理机构 代理人 蔡中曾 台北巿敦化南路一段二四五号八楼
主权项 1.一种场致发光组件,包括一基材、一阳极、一场 致发光元件及一阴极,其中至少两电极之一在可见 光谱区为透明的,且场致发光元件包含一或多个选 自电洞射入区、电洞传递区、场致发光区、电子 传递区及电子射入区且成特殊次序之区域,其中所 存在之各区亦可担任其他所述区域之功能,其特征 在于场致发光元件包含多核之金属复合物,选自式 (Ⅲ)a、(Ⅲ)b及(Ⅲ)c组群中之一化合物: 及 及 其中 Me代表铝、镓、铟或镧, V1代表取代或未取代及/或分支或未分支伸烷基基 团、环伸烷基基团或聚(氧伸烷基)基团, V2代表取代或未取代及/或分支或未分支伸烷基基 团或伸炔基基团, V3代表取代或未取代及/或分支或未分支伸烷基基 团及 Z代表完成包含至少两个稠合环之部分的原子。2. 根据申请专利范围第1项之场致发光组件,其中电 洞射入区包含式(Ⅰ)之不带电荷的或阳离子性之 聚吩: 其中 Q1及Q2互相独立地代表氢、取代或未取代之(C1-C20)- 烷基、CH2OH或(C6-C14)-芳基或 Q1和Q2一起代表-(CH2)m-CH2-(其中m=0至12,较佳为1至5) 、或(C6-C14)-伸芳基,及 n代表由2至10,000,较佳由5至5000之整数。3.根据申请 专利范围第1项之场致发光组件,其中电洞射入区 包含不带电荷或阳离子性之式(Ia)或(Ib)之聚吩 或其混合物: 其中 Q3和Q4互相独立地代表氢或取代或未取代之(C1-C18)- 烷基、(C2-C12)-烯基、(C3-C7)-环烷基、(C7-C15)-芳烷 基、(C6-C10)-芳基、(C1-C18)-烷氧基或(C2-C18)-烷氧酯 及 Q5和Q6互相独立地代表氢或(C1-C18)-烷基、(C2-C12)-烯 基、(C3-C7)-环烷基、(C7-C15)-芳烷基、(C6-Cl0)-芳基 、(C1-C18)-烷氧基或(C2-C18)-烷氧酯 ,其各自可被至 少一个磺酸酯基所取代,其中若Q5代表氢,则Q6不为 氢,反之亦然,及 n 为由2至10,000之整数。4.根据申请专利范围第3项 之场致发光组件,其中阳离子性或未带电荷之聚 吩类对应于式(Ia-1)及(Ib-1): 其中 Q5和n为根据申请专利范围第3项之定义 。5.根据申 请专利范围第1至4项中任一项之场致发光组件,其 中聚合性羧酸及/或聚合性磺酸之阴离子系以聚阴 离子存在 。6.根据申请专利范围第1至4项中任一 项之场致发光组件,其中聚苯乙烯磺酸及/或其硷 土金属盐为以抗衡离子存在。7.根据申请专利范 围第1项之场致发光组件,其中电洞射入及/或电洞 传递区包含式(Ⅱ)之芳香族第三胺基化合物: 其中 R2代表氢、取代或未取代之烷基或卤素; R3及R4互相独立地代表取代或未取代之(C1-C10)-烷基 、经烷氧羰基-取代之(C1-C10)-烷基、或取代或未取 代之芳基、芳烷基或环烷基;8.根据申请专利范围 第7项之场致发光组件,其中式(Ⅱ)中 R2代表氢或(C1-C6)-烷基, R3及R4互相独立地代表(C1-C6)-烷基、(C1-C4)-烷氧羰 基-(C1-C6)-烷基、或未取代或经(C1-C4)-烷基-及/或(C1 -C4)-烷氧基-取代之苯基、基、苯基-(C1-C4)-烷基 、基-C1-C4-烷基、环戊基或环己基。9.根据申请 专利范围第7项之场致发光组件,其中第三胺基系 选自下列化合物:10.根据申请专利范围第1项之场 致发光组件,其中其该透明之黏着剂为选自聚碳酸 酯、聚酯碳酸酯、苯乙烯之共聚物、聚、以含 乙烯单体为基础之聚合物、聚烯烃、环烯烃共聚 物及苯氧树脂。11.根据申请专利范围第1项之场致 发光组件,其中多核之金属复合物为选自下列化合 物者:
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