发明名称 | 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构 | ||
摘要 | 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构,利用一透光的蓝宝石基板将产生于P-GaN面的光线除了直接经透光导电层射出外,将一部分光线,藉由透光的蓝宝石基板上表面的多层反光磊晶膜或底面的镜面镀膜反射层反射,增加射出光度。采用氧化铟锡作为蓝光发光二极管晶粒的透光性导电层,可先于P-GaN面镀着一超薄的镍层后,再形成此ITO膜层,可于电流分散层及透光性导电层上表面再形成一复数个抗反射层,强化蓝光的发射率,达到同时兼具透光性与欧姆接触电阻的目的。 | ||
申请公布号 | CN1368764A | 申请公布日期 | 2002.09.11 |
申请号 | CN01102414.3 | 申请日期 | 2001.01.31 |
申请人 | 广镓光电股份有限公司 | 发明人 | 陈士堃;宋均墉;张良冬;朱铭松 |
分类号 | H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 1.一种高亮度蓝光发光晶粒的结构,包括:一透明基板,该透明基板具有第一表面与第二表面;一半导体堆叠层,该半导体堆叠层系形成于该透明基板的该第一表面上,其中至少包括一N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层,和一P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层;一镜面镀层,该镜面镀层系形成覆盖于该透明基板的第二表面;一第一电极,该第一电极系提供使与该N型氮化镓(N-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触;一第二电极,该第二电极系为一光可穿透材质的电极,且提供使与该P型氮化镓(P-GaN)系列的III-V族化合物半导体层接触。 | ||
地址 | 中国台湾台中市西屯区工业34路40号 |