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发明名称 METHOD FOR THE EPITAXY OF (INDIUM, ALUMINUM, GALLIUM) NITRIDE ON FOREIGN SUBSTRATES
摘要
申请公布号 EP1238414(A1) 申请公布日期 2002.09.11
申请号 EP20010984676 申请日期 2001.08.22
申请人 TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN 发明人 STRITTMATTER, ANDRE;KROST, ALOIS;BIMBERG, DIETER
分类号 C30B23/02;C30B25/02;C30B25/18;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 C30B23/02
代理机构 代理人
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