形成凹穴和接触窗的方法

摘要

一种半导体元件中，在非导电层内形成凹穴的方法，包括步骤：先提供一半导体基底，其上具有一非导电层及一设定图案的光阻层，在光阻层及非导电层上均匀淀积一聚合物层，再蚀刻聚合物层以在光阻层上形成聚合物侧壁间隙。然后蚀刻非导电层直至半导体基底，形成凹穴。在本发明中，光阻层开口侧壁的聚合物侧壁间隙可以用公知的光刻技术完成，并用以形成凹穴，例如接触窗或线间距。

主权项

1.一种在相同的反应条件下利用在光阻层侧壁上形成的聚合物间隙壁形成一凹穴的方法，其步骤包括：提供一半导体基底，该半导体基底上覆盖有一非导电层；在该非导电层上，淀积及设定一光阻层的图案，以在该非导电层上露出欲用于形成该凹穴的一预定面积；淀积一聚合物层以覆盖该光阻层及该凹穴的预定面积；各向异性蚀刻该聚合物层以形成该光阻层侧壁上的聚合物间隙壁；以及蚀刻该非导电层直至露出该半导体基底，形成该凹穴。