发明名称 带有台结构的半导体激光器
摘要 在包括台结构(11)的半导体激光器中,为了减小靠近激活发射层(15)的台壁处的电流,通过在台结构内设置一带有宽度小于台结构(11)的、处于台结构(11)的缝隙(14)的电流阻挡层(13),使台结构(11)中的侧向电流分布受到控制。
申请公布号 CN1090831C 申请公布日期 2002.09.11
申请号 CN98803285.6 申请日期 1998.03.06
申请人 艾利森电话股份有限公司 发明人 B·斯托尔茨;U·奥兰德尔
分类号 H01S5/32;H01L33/00 主分类号 H01S5/32
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张志醒
主权项 1.一种带有台结构(11,21)的半导体激光器,其特征在于,在台结构(11,21)内设置至少一个带有宽度小于台结构(11,21)的、基本上处于台结构(11,21)中央的缝隙(14,23)的电流阻挡层(13,22)。
地址 瑞典斯德哥尔摩